【摘要】本實用新型是一種發光樓梯扶手，其特征在于： 上蓋與固定槽之間至少鑲嵌一條發光體，底座套入外殼內，固 定槽的卡鉤與底座為緊配合，所述的上蓋與固定槽之間兩側鑲 嵌兩條發光體。本實用新型具有結構簡單，外表光滑、堅固， 手感溫柔，色彩美麗，
【摘要】 本發明在此描述一種制造非易失性半導體存儲 元件的方法，包含不用額外的掩膜來形成子柵極。在此存儲元 件的主柵極之上形成金屬硅化物可以提供較低的字線電阻值。 在操作時，施加電壓至子柵極可以形成一作為位線的瞬態反轉 層，以消除形成位線所需的離子注入。 【專利類型】發明申請 【申請人】旺宏電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610093880.7 【申請日】2006-06-28 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1917186A 【公開公告日】2007-02-21 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100481396C 【授權公告日】2009-04-22 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L21/8247; H01L21/336; H01L27/115; H01L29/788; H01L21/70; H01L21/02; H01L29/66 【發明人】何家驊; 施彥豪; 呂函庭; 賴二琨; 謝光宇 【主權項內容】1、一種制造非易失性存儲元件的方法，包含： 提供襯底，其上有電荷捕捉堆疊以及第一多晶硅層； 選擇性地圖案化該電荷捕捉堆疊以及該第一多晶硅層以裸露出 該襯底并形成柵極結構； 形成絕緣層以及第二多晶硅層于裸露出的襯底上； 選擇性地圖案化該第二多晶硅層以形成子柵極結構； 形成第三多晶硅層于該柵極結構和該子柵極結構上； 形成金屬硅化物層于該第三多晶硅層上；以及 選擇性地圖案化該金屬硅化物層、該第一多晶硅層和該第三多晶 硅層以形成復數個字線。 【當前權利人】旺宏電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【被引證次數】3 【被自引次數】2.0 【被他引次數】1.0 【家族引證次數】22.0 【家族被引證次數】16
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