【摘要】本發明提供一種具有充放電功能的可攜式PCMCIA卡總線電子裝置，可收納于一主機的PCMCIA插槽。該可攜式電子裝置至少包含一PCMCIA接口、一充放電控制單元，以及一充電電池。因此，當該可攜式電子裝置收納于該PCMCIA插槽時，以該
【摘要】 本發明提供半導體元件及其形成方法。一種半導 體元件，包括一基底、一金屬間介電層覆蓋于該基底上、以及 一含氮四乙氧基硅烷氧化層或一富含氧四乙氧基硅烷氧化層 覆蓋于該金屬間介電層上。在該富含氧四乙氧基硅烷氧化層中 氧的分子比率大于70百分比。該金屬間介電層包括一超低介 電常數層。一種形成半導體元件的方法，包括：提供一基底； 沉積一金屬間介電層于該基底上；以及沉積一含氮或富含氧四 乙氧基硅烷氧化層于該金屬間介電層上。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610003186.1 【申請日】2006-02-22 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1959978A 【公開公告日】2007-05-09 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L23/532; H01L21/768; H01L21/31 【發明人】吳倉聚; 章勛明 【主權項內容】1.一種半導體元件，包含： 一基底； 一金屬間介電層于該基底上；以及 一含氮或富含氧四乙氧基硅烷氧化層于該金屬間介電層上， 其中該富含氧四乙氧基硅烷氧化層中氧的分子比率大于70百分 比。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【被引證次數】4 【被自引次數】3.0 【被他引次數】1.0 【家族引證次數】15.0 【家族被引證次數】8
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