【摘要】本發(fā)明提供一種形成金屬－絕緣層－金屬電容的方法，該方法包括下述步驟：在基底上形成電容下板與金屬內(nèi)聯(lián)結(jié)構(gòu)。之后，形成具有預(yù)定厚度的介電層，該介電層包含位于該電容下板上方的第一部分以及位于該金屬內(nèi)聯(lián)結(jié)構(gòu)上方的第二部分。接著，調(diào)整該介電層
【摘要】 本發(fā)明涉及一種具旁通回流的廢氣處理裝置，該廢氣處理裝置包括：一氣流入口、一冷凝器、一風(fēng)扇以及一旁通閥。冷凝器入口與氣流入口相通，風(fēng)扇入口與冷凝器氣流出口相通，旁通閥出口與冷凝器入口相通，旁通閥入口與風(fēng)扇出口相通。其中，風(fēng)扇強(qiáng)制開啟后，當(dāng)旁通閥入口的壓力大于或等于旁通閥出口的壓力時(shí)，旁通閥開啟。由此，本發(fā)明可使含有機(jī)溶劑的部分廢氣經(jīng)由旁通閥二次回流，使廢氣二次冷凝，因此不僅可增加冷凝量，以回收溶劑再利用，還可減少排放至后段管路的溶劑含量。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】友達(dá)光電股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣新竹市 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610163028.2 【申請日】2006-11-27 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1973939A 【公開公告日】2007-06-06 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100469409C 【授權(quán)公告日】2009-03-18 【授權(quán)公告年份】2009.0 【發(fā)明人】吳昌駿; 方榮堂; 吳家榮; 丁勝閣 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種具旁通回流的廢氣處理裝置，該廢氣處理裝置包括： 一氣流入口，其導(dǎo)入一廢氣； 一冷凝器，其包括一冷凝器入口以及一冷凝器氣流出口，該冷凝器入口 與該氣流入口相通； 一風(fēng)扇，其包括一風(fēng)扇入口以及一風(fēng)扇出口，該風(fēng)扇入口與該冷凝器氣 流出口相通；以及 一旁通閥，其包括一旁通閥入口以及一旁通閥出口，該旁通閥出口與該 冷凝器入口相通，該旁通閥入口與該風(fēng)扇出口相通； 其中，該風(fēng)扇強(qiáng)制開啟后，當(dāng)該旁通閥入口的壓力大于或等于該旁通閥 出口的壓力時(shí)，該旁通閥開啟。。微信 【當(dāng)前權(quán)利人】友達(dá)光電股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國臺灣新竹市
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