【摘要】一種半導體結構，包括基底、第一導電型的第一金屬氧化物半導體晶體管與第二導電型的第二金屬氧化物半導體晶體管?；字芯哂械谝粚щ娦偷牡谝痪畢^與第二導電型的第二井區。第一金屬氧化物半導體晶體管配置于第二井區上，包括配置于第二井區上的柵極結
【摘要】 本實用新型提供一種導流裝置，包含：一殼體，其具有一出口及一入口，該殼體設有多個固定部，該導流裝置以所述固定部其中之一固定，這些固定部分別決定一出口方向；一驅動裝置，其設于該殼體，該驅動裝置使流體分別由該入口及該出口流入及流出該導流裝置，從而使得該導流裝置固定時可同時設定流體出口方向。 【專利類型】實用新型 【申請人】創國企業有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省臺北縣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200620132954.9 【申請日】2006-09-05 【申請年份】2006 【公開公告號】CN200949563Y 【公開公告日】2007-09-19 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN200949563Y 【授權公告日】2007-09-19 【授權公告年份】2007.0 【IPC分類號】F04D29/44 【發明人】徐創國 【主權項內容】1.一種導流裝置，其特征在于，包含： 一殼體，其具有一出口及一入口，該殼體設有多個固定部，該導流裝置 以所述固定部其中之一固定，所述固定部分別決定一出口方向； 一驅動裝置，其設于該殼體，該驅動裝置使流體分別由該入口及該出口 流入及流出該導流裝置。 【當前權利人】創國企業有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省臺北縣
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