【摘要】本發明提供一種高介電常數介電層的形成方法、半導體裝置及其制造方法。所述高介電常數介電層的形成方法，包括：于襯底上形成一第一介電層；于第一介電層上形成一金屬材料層；于金屬材料層上形成一第二介電層；以及于一氧化環境中對襯底實施一退火處理
【摘要】 本發明公開了一種晶粒的封裝結構及其制造方法，本發明的制造方法包括以下步驟：提供平板，平板具有第一表面和第二表面；形成復數個第一晶粒在平板的第一表面上，第一晶粒具有第一表面和第二表面；形成復數個第一凸塊在第一晶粒的第一表面上；及切割平板，以形成復數個晶粒組，每一個晶粒組具有平板單元、第一晶粒及復數個第一凸塊，第一晶粒位于平板單元的第一表面上。由此，使單顆晶粒能夠容易植上凸塊。 【專利類型】發明申請 【申請人】日月光半導體制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣高雄市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610082831.3 【申請日】2006-06-13 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101090107A 【公開公告日】2007-12-19 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100521194C 【授權公告日】2009-07-29 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L25/00; H01L23/488; H01L21/50; H01L21/60 【發明人】戴惟璋; 李政穎 【主權項內容】1、一種具有晶粒組的封裝結構，其特征在于，包括： 一晶粒組，包括： 一平板單元，具有一第一表面及一第二表面； 一第一晶粒，設置在該平板單元的該第一表面上，該第一晶粒具有第一表 面及第二表面； 復數個凸塊，形成在該第一晶粒的該第一表面上；及 一基板，具有一第一表面及一第二表面，該晶粒組倒置在該基板的第一表 面上，以使該凸塊直接與該基板電性連接。 該數據由<>整理 【當前權利人】日月光半導體制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣高雄市楠梓加工區經三路26號 【被引證次數】1 【被他引次數】1.0 【家族引證次數】4.0 【家族被引證次數】1
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