【摘要】提供一基底，于該基底內形成多個淺溝隔離，用以隔離并定義出多個有源區域，各該有源區域內分別包括有一光感測區，于該些光感測區內分別形成一光電二極管后即進行一局部硅氧化(LOCOS)工藝，以形成一局部硅氧化絕緣層。隨后，于該些有源區域內分
【摘要】 一種像素結構，其包括基板、第一金屬層、第一介電層、半導體層、第二金屬層以及像素電極。第一金屬層包括柵極以及掃描線并設置于基板上。第一介電層覆蓋第一金屬層。半導體層設置于柵極上方的第一介電層上。第二金屬層包括源極、漏極與數據線，且源極、漏極部分設置于半導體層上，數據線與源極電連接。像素電極與漏極電連接。其中，漏極具有主體部與突出掃描線外的延伸部，主體部具有第一長度，延伸部與掃描線的交界處具有第二長度，且第一長度除以第二長度是預定比值。此像素結構的柵極漏極寄生電容不會變動。本發明另提出一種應用此像素結構的液晶顯示面板。。微信 【專利類型】發明申請 【申請人】中華映管股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省臺北市中山北路三段二十二號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610072316.7 【申請日】2006-04-12 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101055384A 【公開公告日】2007-10-17 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100510918C 【授權公告日】2009-07-08 【授權公告年份】2009.0 【發明人】劉文雄 【主權項內容】1.一種像素結構，其特征是包含： 基板； 第一金屬層，設置于該基板上，該第一金屬層包括： 柵極； 掃描線，與該柵極電連接； 第一介電層，設置于該基板上，且覆蓋該第一金屬層； 半導體層，設置于該柵極上方的該第一介電層上； 第二金屬層，包括： 源極與漏極，部分設置于該半導體層上； 數據線，與該源極電連接；以及 像素電極，與該漏極電連接； 其中該漏極具有部分位于該半導體層上的主體部以及自該主體 部突出該掃描線外的延伸部，該主體部具有第一長度，而該延伸部與 該掃描線的交界處是第二長度，且該第一長度除以該第二長度是預定 比值。 【當前權利人】中華映管股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省臺北市中山北路三段二十二號 【被引證次數】6 【被他引次數】6.0 【家族被引證次數】6
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