【摘要】一種移位寄存器，其包含多級寄存器，每一級寄 存器包含輸出電路、第一切換電路與第二切換電路。該輸出電 路用以輸出第一驅動信號。該第一切換電路用以在該輸出電路 未輸出該第一驅動信號時，將該輸出電路拉至低電位。該第二 切換電路則用以接收輸
【摘要】 提供一基底，于該基底內形成多個淺溝隔離，用以隔離并定義出多個有源區域，各該有源區域內分別包括有一光感測區，于該些光感測區內分別形成一光電二極管后即進行一局部硅氧化(LOCOS)工藝，以形成一局部硅氧化絕緣層。隨后，于該些有源區域內分別形成一晶體管的柵極，且該柵極覆蓋部分該局部硅氧化絕緣層，最后于該基底中形成多個摻雜區。。數據由整理 【專利類型】發明申請 【申請人】聯華電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610077349.0 【申請日】2006-04-29 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101064279A 【公開公告日】2007-10-31 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100468699C 【授權公告日】2009-03-11 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L21/822; H01L27/146; H01L21/70 【發明人】施俊吉 【主權項內容】1.一種圖像感測元件的制作方法，包括： 提供基底； 于該基底內形成多個淺溝隔離，用以隔離并定義出多個有源區域，且 該些有源區域內分別包括光感測區； 進行局部硅氧化工藝，以于該些光感測區內的基底表面分別形成局部 硅氧化絕緣層； 于該些有源區域內分別形成晶體管的柵極，且該柵極覆蓋部分該局部 硅氧化絕緣層；以及 于該基底中形成多個摻雜區。 【當前權利人】聯華電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【引證次數】1.0 【被引證次數】5 【他引次數】1.0 【被他引次數】5.0 【家族引證次數】7.0 【家族被引證次數】5
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