【摘要】本發(fā)明是有關(guān)于一種薄膜電晶體的制造方法，是在形成一源極結(jié)構(gòu)、一汲極結(jié)構(gòu)、一通道結(jié)構(gòu)后，不去除一第一光阻層，而直接于該第一光阻層上形成一第二光阻層，并藉以形成一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，并且，采用n型摻雜的非晶硅、多晶硅層或有機(jī)金屬化合物取代金屬作
【摘要】 本發(fā)明提供一種利用激光剝除工藝形成陣列基 板的方法。利用激光可將透明導(dǎo)電層下的光致抗蝕劑層和光致 抗蝕劑層上的導(dǎo)電層同時(shí)移除，并保留其它部分的透明導(dǎo)電 層，而不需額 外的光掩模。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】友達(dá)光電股份有限公司 【申請(qǐng)人類型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】中國(guó)臺(tái)灣新竹市 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】臺(tái)灣省 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610109002.X 【申請(qǐng)日】2006-07-25 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN1888967A 【公開(kāi)公告日】2007-01-03 【公開(kāi)公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100444009C 【授權(quán)公告日】2008-12-17 【授權(quán)公告年份】2008.0 【IPC分類號(hào)】G02F1/136; G03F7/20; G02F1/1333; H01L21/00; G02F1/13 【發(fā)明人】楊智鈞; 石志鴻; 黃明遠(yuǎn) 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種陣列基板的形成方法，包括： 分別形成接觸墊、薄膜晶體管、像素區(qū)和儲(chǔ)存電容于基板上； 形成保護(hù)層于該接觸墊、該薄膜晶體管、該像素區(qū)和該儲(chǔ)存電容上； 形成光致抗蝕劑層于該保護(hù)層上； 圖案化該光致抗蝕劑層后，移除未被該光致抗蝕劑層屏蔽的保護(hù)層，且 露出該像素區(qū)、部分該薄膜晶體管、部分該儲(chǔ)存電容和部分該接觸墊； 沉積透明導(dǎo)電層于該光致抗蝕劑層和露出的該像素區(qū)、部分該薄膜晶體 管、部分該儲(chǔ)存電容和部分該接觸墊上；并且 進(jìn)行激光剝除工藝，移除該光致抗蝕劑層及其上的該透明導(dǎo)電層，并留 下該像素區(qū)、部分該薄膜晶體管、部分該儲(chǔ)存電容和部分該接觸墊上的該透 明導(dǎo)電層。 【當(dāng)前權(quán)利人】友達(dá)光電股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國(guó)臺(tái)灣新竹市 【引證次數(shù)】3.0 【被引證次數(shù)】8 【他引次數(shù)】3.0 【被自引次數(shù)】4.0 【被他引次數(shù)】4.0 【家族引證次數(shù)】7.0 【家族被引證次數(shù)】8
未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載：http://www.mhvdw.cn/1776717465.html
喜歡就贊一下
