【摘要】一種非揮發(fā)性記憶元件的操作方法。此記憶元件包括多個(gè)記憶單元。記憶單元具有半導(dǎo)體基底、堆疊層以及設(shè)置于基底表面下、且以通道區(qū)分隔的源極與汲極區(qū)。堆疊層包括絕緣層、電荷儲(chǔ)存層、多層穿隧介電結(jié)構(gòu)以及閘極。絕緣層設(shè)置于通道區(qū)上。電荷儲(chǔ)存層設(shè)
【摘要】 本發(fā)明是揭露一種數(shù)據(jù)聚散裝置、數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)及其方法。此裝置包含多個(gè)端口路由單元及數(shù)據(jù)處理單元。每一端口路由單元具有發(fā)送緩沖器及接收緩沖器。數(shù)據(jù)處理單元具有數(shù)據(jù)聚集單元及數(shù)據(jù)發(fā)散單元。通過(guò)該數(shù)據(jù)聚集單元及該數(shù)據(jù)發(fā)散單元以達(dá)到增加頻寬的目的。 【專(zhuān)利類(lèi)型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】瑞昱半導(dǎo)體股份有限公司 【申請(qǐng)人類(lèi)型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)園區(qū) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】臺(tái)灣省 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610091617.4 【申請(qǐng)日】2006-06-06 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN101086725A 【公開(kāi)公告日】2007-12-12 【公開(kāi)公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100568207C 【授權(quán)公告日】2009-12-09 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類(lèi)號(hào)】G06F13/38 【發(fā)明人】吳昌璉; 蔡吟聲 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種數(shù)據(jù)集散裝置，包含： 至少二個(gè)傳收器，每一傳收器通過(guò)相對(duì)應(yīng)的傳輸通道來(lái)傳送及接收數(shù)據(jù) 信號(hào)； 至少二個(gè)端口路由單元，每一端口路由單元是與相對(duì)應(yīng)的傳收器相耦接； 以及 數(shù)據(jù)處理單元，該數(shù)據(jù)處理單元是與該至少二個(gè)端口路由單元相耦接， 該數(shù)據(jù)處理單元具有數(shù)據(jù)聚集單元及數(shù)據(jù)發(fā)散單元，該數(shù)據(jù)聚集單元用來(lái)接 收該至少二個(gè)傳收器的數(shù)據(jù)信號(hào)，該數(shù)據(jù)發(fā)散單元用來(lái)傳送設(shè)備的 輸入信號(hào)； 其中，該數(shù)據(jù)處理單元的頻寬上限是大于該每一端口路由單元的頻寬上 限，且該至少二個(gè)傳收器與該至少二個(gè)端口路由單元的至少其一符合通用串 行總線(xiàn)(USB)標(biāo)準(zhǔn)。 【當(dāng)前權(quán)利人】瑞昱半導(dǎo)體股份有限公司 【當(dāng)前專(zhuān)利權(quán)人地址】中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)園區(qū) 【家族引證次數(shù)】3.0
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