【摘要】本實用新型公開了一種胸罩的可調節背鉤，包括 固定式背鉤和活動式背鉤，該活動式背鉤與該固定式背鉤可拆 卸地相連接。該固定式背鉤一側設有第一扣鉤且另一側設有第 一鉤環，該活動式背鉤一側設有第二鉤環且另一側設有第二扣 鉤，該第二扣鉤和該第
【摘要】 一種非揮發性記憶元件的操作方法。此記憶元件包括多個記憶單元。記憶單元具有半導體基底、堆疊層以及設置于基底表面下、且以通道區分隔的源極與汲極區。堆疊層包括絕緣層、電荷儲存層、多層穿隧介電結構以及閘極。絕緣層設置于通道區上。電荷儲存層設置于絕緣層上。多層穿隧介電結構設置于電荷儲存層上。閘極則設置于多層穿隧介電結構上。在閘極施加負偏壓，藉由－FN穿隧機制，使電子從記憶單元的閘極經由多層穿隧介電結構注入于電荷儲存層，造成記憶單元的啟始電壓上升。于閘極施加一正偏壓，藉由+FN穿隧機制，使電洞從該記憶單元的該閘極經由該多層穿隧介電結構注入于該電荷儲存層，造成該記憶單元的啟始電壓下降。 【專利類型】發明申請 【申請人】旺宏電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省新竹科學工業園區力行路16號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610090051.3 【申請日】2006-06-22 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101093725A 【公開公告日】2007-12-26 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100498973C 【授權公告日】2009-06-10 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】G11C16/04; G11C16/06; G11C11/56; H01L29/792 【發明人】呂函庭; 賴二琨; 王嗣裕 【主權項內容】1、一種記憶單元的操作方法，其特征在于其包括： 提供一記憶單元，該記憶單元包括： 一基底，具有二源/汲極區設置于該基底的一表面下，該二源/汲極區 藉由一通道區分隔； 一絕緣層，設置于該通道區上； 一電荷儲存層，設置于該絕緣層上； 一多層穿隧介電結構，設置于該電荷儲存層上；以及 一閘極，設置于該多層穿隧介電結構上； 進行一第一操作，于該閘極施加一負偏壓并使該些源/汲極區浮置、接 地或設為0伏特，藉由-FN穿隧機制，使電子從該記憶單元的該閘極經由該 多層穿隧介電結構注入于該電荷儲存層，造成該記憶單元的啟始電壓上升； 以及 進行一第二操作，于該閘極施加一正偏壓并使該些源/汲極區浮置、接 地或設為0伏特，藉由+FN穿隧機制，使電洞從該記憶單元的該閘極經由該 多層穿隧介電結構注入于該電荷儲存層，造成該記憶單元的啟始電壓下降。 【當前權利人】旺宏電子股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省新竹科學工業園區力行路16號 【被引證次數】4 【被自引次數】2.0 【被他引次數】2.0 【家族引證次數】11.0 【家族被引證次數】4
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