【摘要】本實用新型公開一種理線裝置，適用于一電子裝置，該電子裝置具有一本體、一插頭，及一連接該本體與該插頭以形成電連接的電線，該理線裝置包含一結合單元與一收納單元。該結合單元是與該電子裝置的本體組固在一起。該收納單元，包括一連設于該結合單元
【摘要】 本發明提供一種半導體元件及其形成方法，包括：一柵極電極以及接近該柵極電極的一源極區與一漏極區。一硅化區位于該柵極電極、該源極區或該漏極區的頂部表面上。一非硅化區，鄰近該硅化區并位于該柵極電極、該源極區或該漏極區頂部表面的邊緣。本發明所述的半導體元件及其形成方法，改善了傳統硅化制程所產生的問題，避免硅化物形成在柵極電極以及/或源極及漏極的邊緣，從而使漏電流降低。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610141051.1 【申請日】2006-09-28 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101043052A 【公開公告日】2007-09-26 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L29/78; H01L29/41; H01L21/336; H01L21/28 【發明人】吳成堡; 曾健庭; 湯乾紹 【主權項內容】1.一種半導體元件，其特征在于，該半導體元件包括： 一柵極電極； 一源極區以及一漏極區，分別位于該柵極電極的外側； 一硅化區，位于該柵極電極、該源極區或該漏極區之上；以 及 一非硅化區，相鄰于該硅化區，位于該柵極電極、該源極區 或該漏極區頂部表面邊緣區之上。。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【家族引證次數】8.0 【家族被引證次數】7
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