【摘要】本發(fā)明是有關(guān)于一種等離子體蝕刻的裝置與方法，尤其是一種在等離子體反應(yīng)器中蝕刻基材的裝置與方法，其中等離子體反應(yīng)器包含了固定基材的靜電吸盤。首先，提供直流電壓予靜電吸盤，此直流電壓使基材上帶有靜電荷。之后，再以等離子體蝕刻此基材，接著
【摘要】 本實(shí)用新型公開了一種半導(dǎo)體反應(yīng)室元件固定裝置包括：圓形頂板，適于通入反應(yīng)氣體至反應(yīng)室內(nèi)的半導(dǎo)體元件；三個(gè)支撐架，分別配置于所述圓形頂板外圍的三個(gè)支撐點(diǎn)，以固定所述圓形頂板；以及閘式閥，提供所述半導(dǎo)體元件進(jìn)出所述反應(yīng)室的出入口，其中所述支撐架的任一皆不配置于所述半導(dǎo)體元件進(jìn)出于所述反應(yīng)室的所述閘式閥的路徑上。該半導(dǎo)體反應(yīng)室元件固定裝置通過將固定圓形頂板(Shower head)的支撐架從晶片進(jìn)出反應(yīng)室的路徑中移除，因此可以避免附著于支撐架上的微塵掉落，且由于支撐架以正三角形的三個(gè)頂點(diǎn)的方式配置，因此能夠平均地支撐圓形頂板，達(dá)到有效改善晶片上帶狀缺陷的目的。 【專利類型】實(shí)用新型 【申請(qǐng)人】力晶半導(dǎo)體股份有限公司 【申請(qǐng)人類型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】中國臺(tái)灣新竹市 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國 【申請(qǐng)人城市】臺(tái)灣省 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200620112587.6 【申請(qǐng)日】2006-04-26 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN2924787Y 【公開公告日】2007-07-18 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN2924787Y 【授權(quán)公告日】2007-07-18 【授權(quán)公告年份】2007.0 【IPC分類號(hào)】H01L21/00; H01L21/205; H01L21/285; H01L21/31; H01L21/3205; H01L21/67; C23C16/00; H01L21/02 【發(fā)明人】鄭意中; 呂思漢; 吳元?jiǎng)? 王進(jìn)明; 洪華駿 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種半導(dǎo)體反應(yīng)室元件固定裝置，包括： 圓形頂板，適于通入反應(yīng)氣體至反應(yīng)室內(nèi)的半導(dǎo)體元件； 三個(gè)支撐架，分別配置于所述圓形頂板外圍的三個(gè)支撐點(diǎn)，以固定所述 圓形頂板；以及 閘式閥，提供所述半導(dǎo)體元件進(jìn)出所述反應(yīng)室的出入口， 其特征在于所述些支撐架的任一皆不配置于所述半導(dǎo)體元件進(jìn)出于所 述反應(yīng)室的所述閘式閥的路徑上。 【當(dāng)前權(quán)利人】力晶半導(dǎo)體股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國臺(tái)灣新竹市 【被引證次數(shù)】2 【被他引次數(shù)】2.0 【家族被引證次數(shù)】2
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