【摘要】一種便于自動裝置吸取的熱熔式鉗入柱結構，該結構以固定柱為主體，該固定柱的軸心位置上設有螺孔，此外，在該固定柱的上端面貼附有導電板，且在該導電板的軸心位置設有穿孔，且在該導電板與固定柱的貼合面上涂布有一層導電膠，另外在該導電板的穿孔底
【摘要】 一種嵌壁式柵極結構包含半導體基板、設置于該半導體基板中之溝槽、設置于該溝槽內之柵氧化層以及設置于該柵氧化層上之導電層，其中該溝槽內之半導體基板呈多層階梯結構。該多層階梯結構之各階梯表面的柵氧化層厚度可不相同。此外，該嵌壁式柵極結構另包含多個設置于該多層階梯結構下方之半導體基板中的摻雜區，且各階梯下之摻雜區之摻雜濃度及摻質種類可不相同。該多階式柵極結構之載流子通道的整體長度為該多層階梯結構之寬度(W)及二倍高度(2H)之總和。 【專利類型】發明申請 【申請人】茂德科技股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省新竹市科學工業園區力行路十九號三樓 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610073181.6 【申請日】2006-04-10 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101055891A 【公開公告日】2007-10-17 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100468768C 【授權公告日】2009-03-11 【授權公告年份】2009.0 【發明人】王廷熏 【主權項內容】1.一種嵌壁式柵極結構，其特征是包含： 半導體基板，具有溝槽，且該溝槽內之半導體基板呈多層階梯結構， 其具有至少一個第一凹部與一個第二凹部； 柵氧化層，設置于該溝槽中；以及 導電層，設置于該柵氧化層上。 【當前權利人】茂德科技股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省新竹市科學工業園區力行路十九號三樓 【被引證次數】7 【被他引次數】6.0 【家族被引證次數】7
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