【摘要】一種氮化鎵系半導(dǎo)體的成長(zhǎng)方法，用于提供一個(gè)制造固態(tài)半導(dǎo)體發(fā)光裝置所需要的基礎(chǔ)，該成長(zhǎng)方法包含下列步驟：提供一塊基材，在該基材上形成多個(gè)間隔散布的氮化鎵系材料的島狀凸塊，在上述島狀凸塊上形成一層由氮化鎵系為主的材料所制成的基礎(chǔ)層；借由
【專利類型】外觀設(shè)計(jì) 【申請(qǐng)人】松昇工藝股份有限公司 【申請(qǐng)人類型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】中國臺(tái)灣臺(tái)南縣 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國 【申請(qǐng)人城市】臺(tái)灣省 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200630180421.3 【申請(qǐng)日】2006-12-07 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN300711698D 【公開公告日】2007-11-28 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN300711698D 【授權(quán)公告日】2007-11-28 【授權(quán)公告年份】2007.0 【發(fā)明人】陳國章 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】無 【當(dāng)前權(quán)利人】松昇工藝股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國臺(tái)灣臺(tái)南縣
未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載：http://www.mhvdw.cn/1776673610.html
喜歡就贊一下
