【摘要】一種發(fā)光二極管芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其包括基材單元、發(fā)光單元、膠體單元。該基材單元具有基材本體及分別形成于該基材本體的正極導(dǎo)電軌跡與負(fù)極導(dǎo)電軌跡；該發(fā)光單元具有多個(gè)設(shè)置于該基材本體的發(fā)光二極管芯片，其中每一個(gè)發(fā)光二極管芯片具有正極端與負(fù)極
【摘要】 一種非易失性存儲(chǔ)單元，包括半導(dǎo)體基板、浮動(dòng) 柵、第一電容、第二電容、第三電容以及晶體管。浮動(dòng)?xùn)旁O(shè)置 于半導(dǎo)體基板上方。第一電容包括第一極板、浮動(dòng)?xùn)乓约霸O(shè)置 于第一極板與浮動(dòng)?xùn)胖g的介電層。第二電容包括第二極板、 浮動(dòng)?xùn)乓约霸O(shè)置于第二極板與浮動(dòng)?xùn)胖g的介電層。第三電容 包括第三極板、浮動(dòng)?xùn)乓约霸O(shè)置于第三極板與浮動(dòng)?xùn)胖g的介 電層。第一電容的第一極板包括設(shè)置于半導(dǎo)體基板中的第一摻 雜區(qū)以及第二摻雜區(qū)。晶體管，包括設(shè)置于半導(dǎo)體基板上方的 柵電極，以及大體與柵電極的側(cè)邊對(duì)齊的第一與第二源/漏極 區(qū)，其中第二源/漏極區(qū)電性連接至第一電容的第一摻雜區(qū)。本 發(fā)明的非易失性存儲(chǔ)單元，具有降低的漏電流并且占有較少的 芯片面積。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 【申請(qǐng)人類型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】中國臺(tái)灣新竹市 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國 【申請(qǐng)人城市】臺(tái)灣省 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610075242.2 【申請(qǐng)日】2006-04-18 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN1949522A 【公開公告日】2007-04-18 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100438046C 【授權(quán)公告日】2008-11-26 【授權(quán)公告年份】2008.0 【IPC分類號(hào)】H01L27/115 【發(fā)明人】徐德訓(xùn); 宋弘政; 朱文定; 王士瑋 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種非易失性存儲(chǔ)單元，包括： 半導(dǎo)體基板； 浮動(dòng)?xùn)牛O(shè)置于所述半導(dǎo)體基板上方； 第一電容，包括第一極板、所述浮動(dòng)?xùn)乓约霸O(shè)置于所述第一極板與浮動(dòng) 柵之間的介電層； 第二電容，包括第二極板、所述浮動(dòng)?xùn)乓约霸O(shè)置于所述第二極板與浮動(dòng) 柵之間的所述介電層； 第三電容，包括第三極板、所述浮動(dòng)?xùn)乓约霸O(shè)置于所述第三極板與浮動(dòng) 柵之間的所述介電層； 所述第一電容的第一極板包括設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板中的第一摻雜區(qū) 以及第二摻雜區(qū)；以及 晶體管，包括： 柵電極，設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板上方；以及 第一與第二源/漏極區(qū)，大體與所述柵電極的側(cè)邊對(duì)齊，其中所述第 二源/漏極區(qū)電性連接至所述第一電容的第一摻雜區(qū)。 【當(dāng)前權(quán)利人】臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國臺(tái)灣新竹市 【引證次數(shù)】1.0 【被引證次數(shù)】8 【他引次數(shù)】1.0 【被他引次數(shù)】8.0 【家族引證次數(shù)】19.0 【家族被引證次數(shù)】36
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