【摘要】本發明涉及一種光源調整裝置，其包括：一承座，具有多個調整單元，該承座設有多個固定元件基座，該承座的側面設有多個調整元件；一托盤，其容置于所述多個調整單元內，且該托盤具有與所述多個調整元件相對應的多個壓力板，所述多個壓力板可將一發光體
【摘要】 本實用新型公開一種包括離子摻雜結的高壓側驅動器的半導體結構。離子摻雜結包括一襯底及一深阱。深阱形成于襯底內并具有一第一凹結構。離子摻雜結包括一連接至該深阱的第一凹結構的半導體區域，該半導體區域并具有與該襯底實質上相同的離子摻雜濃度。借此得以增加鄰近電容結構凹區域的高壓結的擊穿電壓。因此，得以降低芯片面積及制造高壓側驅動器的成本。 【專利類型】實用新型 【申請人】崇貿科技股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省臺北縣新店市寶興路45巷8弄1號3樓 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200620149902.2 【申請日】2006-10-30 【申請年份】2006 【公開公告號】CN200979883Y 【公開公告日】2007-11-21 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN200979883Y 【授權公告日】2007-11-21 【授權公告年份】2007.0 【IPC分類號】H01L27/04 【發明人】蔣秋志; 黃志豐 【主權項內容】1.一種高壓側驅動器的半導體結構，包括一離子摻雜結，該離子摻雜結包 括： 一襯底；以及 一深阱，形成于所述襯底內，所述深阱具有一第一凹結構； 其特征在于，所述離子摻雜結包括一連接至所述深阱的第一凹結構的半導 體區域，并且所述半導體區域具有與所述襯底實質上相同的離子摻雜濃度。 【當前權利人】崇貿科技股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省臺北縣新店市寶興路45巷8弄1號3樓 【被引證次數】1 【被自引次數】1.0 【家族被引證次數】1
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