【摘要】一種動力裝置，其特征在于包括一動力源與一組合結構。組合結構包括一公件與一母件。公件連接于動力源，公件包括一柱軸部與一第一滑槽軸部，其中，柱部具有一第一表面，第一滑槽軸部包括復數第一凸塊與復數第一凹部。母件是以可分離方式設置于公件，母
【摘要】 本發明提供一種半導體元件，是具有PMOS與NMOS晶體管的CMOS元件，所述晶體管在一半導體元件上方具有不同柵極結構。一第一柵極結構，位于該PMOS元件區域上方，包括一位于該半導體基板上方的第一柵極介電層、與一位于該第一柵極介電層上方的第一柵極導電體；以及一第二柵極結構，位于該NMOS元件區域上方，包括一位于該半導體基板上方的第二柵極介電層、及一位于該第一柵極介電層上方的第二柵極導電體；其中，該第一柵極導電體包括一以硅為基材的材料層，且該第二柵極導電體包括一以金屬為基材的材料層。本發明所述的半導體元件，由于平衡了工作函數而提升了CMOS元件的性能。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610167904.9 【申請日】2006-12-19 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101051638A 【公開公告日】2007-10-10 【公開公告年份】2007 【發明人】顏豐裕; 徐鵬富; 金鷹 【主權項內容】1.一種半導體元件，其特征在于，該半導體元件包括： 一半導體基板，具有一PMOS元件區域與一NMOS元件區域； 一第一柵極結構，位于該PMOS元件區域上方，包括一位于 該半導體基板上方的第一柵極介電層、與一位于該第一柵極介電 層上方的第一柵極導電體；以及 一第二柵極結構，位于該NMOS元件區域上方，包括一位于 該半導體基板上方的第二柵極介電層、及一位于該第二柵極介電 層上方的第二柵極導電體； 其中，該第一柵極導電體包括一以硅為基材的材料層，且該 第二柵極導電體包括一以金屬為基材的材料層。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【被引證次數】4 【被他引次數】3.0 【家族被引證次數】49
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