【摘要】本發明提供一種控制半導體裝置柵極形成的方 法，包括測定在晶圓上隔離結構的階差高度；使用階差高度來 決定階差高度與過蝕刻時間之間的關連性；根據階差高度來決 定過蝕刻時間；以及用過蝕刻時間來蝕刻柵極。此方法更包括 顯影后檢視步驟，以測定
【摘要】 一種包括有磁性金屬層以及鄰近于此磁性金屬 層的磁感測設備的MRAM單元。此磁性金屬層的一端連接至 字線晶體管，且其中包括一個二極管并用于使此磁感測設備連 接至位線。此磁性金屬層可用于編程并讀取此單元，而排除此 單元中對第二電流線的需要。 【專利類型】發明申請 【申請人】旺宏電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610148451.5 【申請日】2006-11-10 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1967860A 【公開公告日】2007-05-23 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100463208C 【授權公告日】2009-02-18 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L27/22; H01L43/08; G11C11/02 【發明人】何家驊 【主權項內容】1.一種非易失性存儲單元，包括： 字線晶體管，其包括柵極、源極、以及漏極； 磁性金屬層，其中該磁性金屬層的一端連接至該字線晶體管； 磁感測設備，其以一鄰近導體而與該磁性金屬層分隔； 第一位線； 二極管，其用以連接該磁感測設備至該第一位線； 第二位線，其連接至該磁性金屬層的另一端。 【當前權利人】旺宏電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【引證次數】5.0 【他引次數】5.0 【家族引證次數】21.0 【家族被引證次數】13
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