【摘要】一種外插SIM卡的移動(dòng)電話，包含有：一移動(dòng)電話本體，主要由一外殼，一顯示屏，數(shù)個(gè)按鍵，一電路模塊以及一天線所組成；該外殼的預(yù)定位置開設(shè)一SIM卡插入口；以及具有一SIM卡連接器，該SIM卡連接器設(shè)于該外殼內(nèi)，且該SIM卡連接器具有一
【摘要】 本發(fā)明提供一種低介電常數(shù)的介電薄膜的形成方法，包括形成一多孔低介電常數(shù)的介電薄膜于半導(dǎo)體基底上的方法。導(dǎo)入活性鍵結(jié)于多孔低介電常數(shù)的介電薄膜之中，以改善低介電常數(shù)的介電薄膜的損失電阻及化學(xué)完整性，進(jìn)而在經(jīng)過后續(xù)的制程后，保持低介電常數(shù)的介電薄膜的低介電常數(shù)。進(jìn)行活性鍵結(jié)的導(dǎo)入方式可以是通過導(dǎo)入氫氧及/或氫基團(tuán)于多孔低介電常數(shù)的介電薄膜的孔隙內(nèi)，在以硅為主的低介電常數(shù)的介電薄膜的一實(shí)施例中，可產(chǎn)生硅－氫氧(Si－OH)及/或硅－氫(Si－H)活性鍵結(jié)。在更進(jìn)一步處理低介電常數(shù)的介電薄膜之后，從低介電常數(shù)的介電薄膜內(nèi)移除活性鍵結(jié)。本發(fā)明所述的方法改善了損失電阻及介電常數(shù)穩(wěn)定性。。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】臺(tái)灣省新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)新竹市力行六路八號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺(tái)灣省 【申請?zhí)枴緾N200610127039.5 【申請日】2006-09-21 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101060079A 【公開公告日】2007-10-24 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100589231C 【授權(quán)公告日】2010-02-10 【授權(quán)公告年份】2010.0 【IPC分類號】H01L21/31; H01L21/768 【發(fā)明人】林耕竹; 周家政; 葉明靈 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種低介電常數(shù)的介電薄膜的形成方法，其特征在于，該 低介電常數(shù)的介電薄膜的形成方法，包括： 形成一多孔低介電常數(shù)的介電薄膜于一基底上；以及 導(dǎo)入活性鍵結(jié)于該多孔低介電常數(shù)的介電薄膜之中。 【當(dāng)前權(quán)利人】臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】臺(tái)灣省新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)新竹市力行六路八號 【被引證次數(shù)】5 【被他引次數(shù)】5.0 【家族引證次數(shù)】16.0 【家族被引證次數(shù)】16
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