【摘要】本發明是關于一種半導體結構及N型金屬氧化物半導體晶體管的形成方法，提供具有高應力溝道區的金屬氧化物半導體晶體管及其形成方法，包括于半導體基板上依序形成第一半導體板、第二半導體板、柵極堆疊，其中第一半導體板的晶格常數實質上大于第二半導
【摘要】 本發明提出一種指標器數據處理系統與方法。此系統包括指標器與嵌入式微控制器。首先，指標器內的感測元件接收一感測信號并儲存于指標器。接下來，嵌入式微控制器接收此感測信號，并將此感測信號轉換成系統端可接受的信號后，再傳送至系統端。故本發明可有效省略指標器內的微處理器、隨機存取內存及只讀存儲器，以有效降低指標器的制作成本。 【專利類型】發明申請 【申請人】仁寶電腦工業股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省臺北市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610086552.4 【申請日】2006-06-22 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101093429A 【公開公告日】2007-12-26 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100498673C 【授權公告日】2009-06-10 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】G06F3/041 【發明人】胡哲賢; 沈一弘 【主權項內容】1.一種指標器數據處理系統，其特征在于，包括： 一嵌入式微控制器；以及 一指標器，電連接該嵌入式微控制器，該指標器以一傳輸 接口與該嵌入式微控制器溝通，并具有一感測元件，用以接收 一第一感測信號并儲存于該指標器； 其中，當該嵌入式微控制器通過該傳輸接口接收該第一感 測信號時，可將該第一感測信號轉換成一第二感測信號后輸 出。 【當前權利人】仁寶電腦工業股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省臺北市 【被引證次數】2 【被他引次數】2.0 【家族引證次數】3.0 【家族被引證次數】2
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