【摘要】本發明是提供一種線性馬達散熱結構，包含：一定子，其具預定長度且得以形成一作動行程，其中內部二相對面的側面上各貼覆復數片相對應的磁鐵；一動子，由一上、下固定座及可連結上、下固定座的散熱機構，以及固設于散熱機構二側面的線圈所組成；藉由該
【摘要】 本發明提供一種用于集成電路記憶體的資料匯 流排電路，包括用于將記憶體與I/O區塊連接的每I/O墊4位 元匯流排，但是僅將每I/O兩位元用于寫入，而每I/O墊4位 元用于讀取。在輸入資料閃控訊號的每個下降邊緣時，可經由 匯流排傳輸后兩個位元，故毋須精確地計數輸入資料閃控脈 沖。此外，該資料匯流排電路可相容于DDR1及DDR2操作模 式。。 【專利類型】發明申請 【申請人】茂德科技股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610066187.0 【申請日】2006-03-24 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1892893A 【公開公告日】2007-01-10 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN1892893B 【授權公告日】2011-08-31 【授權公告年份】2011.0 【IPC分類號】G11C7/10; G11C7/22; G11C11/4076; G11C11/4096 【發明人】強艾倫佛伊; 史蒂夫伊頓; 麥克莫瑞 【主權項內容】1.一種集成電路記憶體，包括一N位元讀取/寫入匯流排，該匯流排將 該集成電路記憶體的I/O區連接至一主記憶體介面，而該N個位元中僅有M 個位元用于寫入，且M小于N。 【當前權利人】茂德科技股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣 【引證次數】5.0 【被引證次數】3 【他引次數】5.0 【被他引次數】3.0 【家族引證次數】18.0 【家族被引證次數】14
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