【摘要】本發明提供一種半導體元件及其形成方法，具體 涉及用來預防尖端引發電容漏電流的元件及其形成方法。是以 較厚的底部電極填滿導致尖端形成的微溝槽。另一方式則是， 將接觸插塞形成凹陷以降低微溝槽的形成。本發明所述半導體 元件及其形成方法，可
【摘要】 本發明揭露一種封裝結構，包括：一金屬基板；一印刷電路板，形成于該金屬基板上；一熱電組件(thermo－electric devices)，形成于該印刷電路板內及/或上；以及一發光二極管，形成于該熱電組件上。本發明亦揭露一種封裝方法。 【專利類型】發明申請 【申請人】財團法人工業技術研究院 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】中國臺灣新竹縣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610051479.7 【申請日】2006-02-28 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101030612A 【公開公告日】2007-09-05 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100459194C 【授權公告日】2009-02-04 【授權公告年份】2009.0 【發明人】戴明吉; 劉君愷; 余致廣; 吳仕先 【主權項內容】1.一種封裝結構，包括： 一金屬基板； 一第一印刷電路板，形成于該金屬基板上； 一第一熱電組件，形成于該第一印刷電路板上；以及 一發光二極管，形成于該第一熱電組件上。 【當前權利人】財團法人工業技術研究院 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹縣 【被引證次數】TRUE 【家族被引證次數】TRUE
未經允許不得轉載：http://www.mhvdw.cn/1776558254.html
喜歡就贊一下
