【摘要】本發明提供一種半導體結構。通過噪聲隔離結構將位于襯底上的第一元件區域及第二元件區域隔離。上述噪聲隔離結構包括一下沉區域,包圍上述第一元件區域;以及一埋置層,其位于上述第一元件區域的下方且連接上述下沉區域;一深防護環,包圍上述下沉區域
【專利類型】外觀設計 【申請人】網路家庭國際資訊股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省臺北市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200630137127.4 【申請日】2006-08-21 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3660247D 【公開公告日】2007-06-20 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN3660247D 【授權公告日】2007-06-20 【授權公告年份】2007.0 【發明人】黃正皚 【主權項內容】無 【當前權利人】愛比科技股份有限公司 【當前專利權人地址】美國加利福尼亞州森尼韋爾北沃爾夫路400
未經允許不得轉載:http://www.mhvdw.cn/1776451602.html
喜歡就贊一下






