【專利類型】外觀設計【申請人】北京時代石油制品有限公司【申請人類型】企業【申請人地址】101107北京市通州區潞城鎮甘棠工業區【申請人地區】中國【申請人城市】北京市【申請人區縣】通州區【申請號】CN200630158306.6【申請日】20
【摘要】 本發明提供一種半導體結構。通過噪聲隔離結構將位于襯底上的第一元件區域及第二元件區域隔離。上述噪聲隔離結構包括一下沉區域，包圍上述第一元件區域；以及一埋置層，其位于上述第一元件區域的下方且連接上述下沉區域；一深防護環，包圍上述下沉區域；以及一深溝槽隔離區域，包圍上述下沉區域。噪聲隔離結構還包括一寬防護環，其位于上述第一元件區域以及上述第二元件區域之間。上述下沉區域以及上述埋置層具有高不純物濃度。可隔離分別位于上述第一元件區域以及上述第二元件區域中的集成電路的噪聲。通過本發明可大大提升位于集成電路中的數字電路及模擬電路之間的噪聲隔離能力。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610173271.2 【申請日】2006-12-18 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1992272A 【公開公告日】2007-07-04 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100477220C 【授權公告日】2009-04-08 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L27/04; H01L21/76; H01L21/70 【發明人】葉德強; 李傳英; 葉秉君 【主權項內容】1.一種半導體結構，包括： 一半導體襯底，其具有第一導電類型； 一埋置層，其具有第二導電類型，所述埋置層位于所述半導體襯底中， 且位于以半導體材料形成的一第一元件區域下方，其中所述埋置層為高濃度 摻雜； 一下沉區域，其具有第二導電類型，包圍所述第一元件區域以及連接所 述埋置層，其中所述下沉區域為高濃度摻雜； 一深溝槽隔離區域，包圍所述下沉區域； 一深防護環，其具有第一導電類型，包圍所述下沉區域；以及 一第二元件區域，其至少通過所述下沉區域、所述深溝槽隔離區域以及 所述深防護環與所述第一元件區域隔開。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹市 【被引證次數】7 【被他引次數】7.0 【家族引證次數】19.0 【家族被引證次數】33
未經允許不得轉載：http://www.mhvdw.cn/1776423425.html
喜歡就贊一下
