【摘要】后視圖無保護內容，省略后視圖。【專利類型】外觀設計【申請人】北京桑普電器有限公司【申請人類型】企業【申請人地址】101302北京市順義區京順路西側金馬工業區【申請人地區】中國【申請人城市】北京市【申請人區縣】順義區【申請號】CN20
【摘要】 本發明提供一種在兩個金氧半導體晶體管之間形成一自我對準接觸的方法，包含以下步驟：于一個半導體基板的一表面上方形成一第一構造與一第二構造，以及位于該第一構造與該第二構造之間的一間隔；于該第一構造的一上表面上方形成一第一材料的一第一覆蓋層；以及于該第二構造的一上表面上形成該第一材料的一第二覆蓋層，該些覆蓋層彼此分離并延伸遍及該間隔，且比該基板更靠近該上表面。此方法支持用以在采用多晶硅化金屬技術的奈米應用中形成這些接觸的低電阻系數金屬硅化物的使用。氮化硅與光阻材料在形成自我對準接觸時是作為雙光罩用。 【專利類型】發明申請 【申請人】旺宏電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行路16號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610004618.0 【申請日】2006-01-26 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101009246A 【公開公告日】2007-08-01 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN101009246B 【授權公告日】2010-06-09 【授權公告年份】2010.0 【IPC分類號】H01L21/8234; H01L27/088; H01L21/70; H01L27/085 【發明人】鐘維民 【主權項內容】1.一種方法，包含以下步驟： 于一個半導體基板的一表面上方形成一第一構造與一第二構造，以及位 于該第一構造與該第二構造之間的一間隔； 于該第一構造的一上表面上方形成一第一材料的一第一覆蓋層；以及 于該第二構造的一上表面上形成該第一材料的一第二覆蓋層，該些覆蓋 層彼此分離并延伸遍及該間隔，且比該基板更靠近該上表面。 【當前權利人】旺宏電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行路16號 【家族引證次數】2.0
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