【摘要】一種交流發(fā)電機，定子總成與前端蓋及后端蓋形成凸凹配合，定子總成的定子鐵芯尺寸為：外徑Φ167mm～Φ169mm，內(nèi)徑Φ126mm～Φ128mm，轉子總成包括轉子軸、線圈、一對爪極、軸承及滑環(huán)，線圈夾在兩個爪極之間，兩爪極與轉子軸過盈
【摘要】 一種半導體發(fā)光元件，包括活性層，該活性層包括阱層，該阱層未故意摻雜雜質、第一障壁層及第二障壁層。該阱層形成于該第一障壁層及該第二障壁層之間，其中該第一障壁層鄰近于該阱層處具有第一故意摻雜雜質區(qū)，遠離于該阱層處具有第一未故意摻雜雜質區(qū)，該第二障壁層鄰近于該阱層處具有第二未故意摻雜雜質區(qū)。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】晶元光電股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣新竹市 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610003629.7 【申請日】2006-01-09 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101000940A 【公開公告日】2007-07-18 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L33/00; H01L33/06 【發(fā)明人】顏世男; 邱榮涂; 沈豫俊; 蔡清富 【主權項內(nèi)容】 。1.一種半導體發(fā)光元件，包括： 基板；以及 活性層，形成于該基板上，包括： 阱層，未故意摻雜雜質； 第一障壁層；以及 第二障壁層，其中該阱層形成于該第一障壁層及該第二障壁層之間，該 第一障壁層具有鄰近該阱層的故意摻雜n型雜質區(qū)，且具有遠離該阱層的未 故意摻雜雜質區(qū)，該第二障壁層具有鄰近該阱層的未故意摻雜雜質區(qū)。 【當前權利人】晶元光電股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹市 【被引證次數(shù)】4 【被自引次數(shù)】1.0 【被他引次數(shù)】3.0 【家族被引證次數(shù)】4
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