【摘要】本發(fā)明涉及一種用于Al－Mg－Li系鋁鋰合金和 Al－Mg系鋁合金熔化焊用Al－Mg－Sc系焊絲。主要化學(xué)成 分(wt％)為：鎂(Mg)4～8、錳(Mn)0.5～1.0、鋯(Zr)0.05～0.3、 鈧(Sc)0.1～1.0、鈦(T
【摘要】 一種批量化制備雙面高溫超導(dǎo)薄膜裝置，其特點(diǎn)是：將多個(gè)基片均勻排布在圓盤(pán)形的樣品臺(tái)上，由主轉(zhuǎn)動(dòng)軸帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)，在加熱真空腔體內(nèi)旋轉(zhuǎn)加熱，對(duì)靶一次性濺射制備大面積雙面高溫超導(dǎo)薄膜。在加熱真空腔體上下兩面對(duì)稱開(kāi)有濺射口，上下濺射靶對(duì)稱排布。真空室上下兩面還對(duì)稱放置金屬電極靶材。加熱腔體與輔轉(zhuǎn)動(dòng)軸連接，可以旋轉(zhuǎn)濺射口的位置至金屬靶材濺射位置，從而實(shí)現(xiàn)原位鍍覆電極薄膜。主轉(zhuǎn)動(dòng)軸由無(wú)極變速電極帶動(dòng)，可控制旋轉(zhuǎn)速率；加熱腔體外壁及濺射靶體周?chē)粲羞M(jìn)氣口，保證濺射區(qū)域及退火時(shí)腔體內(nèi)氣壓均勻。利用本裝置一次性可批量制備16片φ2英寸、12片φ3英寸的高性能雙面高溫超導(dǎo)薄膜，并可根據(jù)實(shí)際需要增大樣品尺寸和增加樣品數(shù)目。 【專利類型】實(shí)用新型 【申請(qǐng)人】北京有色金屬研究總院 【申請(qǐng)人類型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】100088北京市新街口外大街2號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】北京市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】西城區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200620119334.1 【申請(qǐng)日】2006-08-28 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN200943101Y 【公開(kāi)公告日】2007-09-05 【公開(kāi)公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN200943101Y 【授權(quán)公告日】2007-09-05 【授權(quán)公告年份】2007.0 【發(fā)明人】古宏偉; 李弢; 王霈文; 楊堅(jiān) 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種批量化制備雙面高溫超導(dǎo)薄膜裝置，其特征在于，它包括有：一 個(gè)真空腔體(5)，呈圓筒形，在該真空腔體的頂蓋(4)內(nèi)和底板上(6)，對(duì)稱排 布大尺寸平面或中空?qǐng)A柱型高溫超導(dǎo)材料靶材(1)，以及用于原位濺射電極的金 屬靶材(2)； 在真空腔體(5)內(nèi)中間設(shè)置有圓盤(pán)型加熱轉(zhuǎn)動(dòng)裝置，該圓盤(pán)型加熱轉(zhuǎn)動(dòng)裝置 是由圓盤(pán)型轉(zhuǎn)動(dòng)裝置和圓盤(pán)加熱裝置構(gòu)成； 所述的圓盤(pán)加熱裝置采用上下對(duì)稱平面式加熱，圓盤(pán)加熱裝置包括上加熱 盤(pán)(3)和下加熱盤(pán)(7)，該下加熱盤(pán)(7)固定在支撐底座(8)上，該上加熱盤(pán)(3)連 接固定在下加熱盤(pán)(7)上，在上、下加熱盤(pán)面上分別設(shè)有對(duì)準(zhǔn)靶材的濺射口 (18、19)； 所述的圓盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)裝置是由圓盤(pán)樣品臺(tái)(11)和轉(zhuǎn)動(dòng)裝置構(gòu)成，轉(zhuǎn)動(dòng)裝置包括 主轉(zhuǎn)動(dòng)軸(9)、輔轉(zhuǎn)動(dòng)軸(10)，主轉(zhuǎn)動(dòng)軸連接圓盤(pán)樣品臺(tái)(11)，帶動(dòng)樣品臺(tái)在加 熱真空腔體(5)內(nèi)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)加熱，輔轉(zhuǎn)動(dòng)軸(10)連接下加熱盤(pán)(7)。 【當(dāng)前權(quán)利人】北京有色金屬研究總院 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市新街口外大街2號(hào) 【被引證次數(shù)】TRUE 【家族被引證次數(shù)】TRUE
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