【摘要】本發明公開了一種單層多晶硅非易失性存儲器 單元,包括第一導電型離子井、第二導電型源極摻雜區、第二 導電型漏極摻雜區、以及介于該源極摻雜區與該漏極摻雜區之 間的溝道區域,其中該溝道區域又分為電學相同的第一溝道區 域和相連到該第一溝道區
【專利類型】外觀設計 【申請人】朱建華 【申請人類型】個人 【申請人地址】100035北京市西城區西直門南大街6-8號101室 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】西城區 【申請號】CN200630022154.7 【申請日】2006-10-11 【申請年份】2006 【公開公告號】CN300705143D 【公開公告日】2007-10-31 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN300705143D 【授權公告日】2007-10-31 【授權公告年份】2007.0 【發明人】朱建華 【主權項內容】無 【當前權利人】朱建華 【當前專利權人地址】北京市西城區西直門南大街6-8號101室
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