【摘要】本實用新型屬于一種區熔單晶硅爐，采用中爐膛中部一側通過真空管道相通復合分子泵的抽氣口，復合分子泵的抽氣口與真空管道之間設有真空擋板閥，復合分子泵通過分子泵固定栓固接在支架上。本實用新型能用簡單的結構提高爐膛內的真空度，以提高硅籽晶質
【摘要】 本發明揭示具有導電支持襯底的通孔垂直結構的半導體芯片或器件及生產工藝，一個具體實施實例的結構如下(圖3)：第二反射/歐姆/鍵合層106層疊于第二導電支持襯底108(其另一面作為第二電極110)和半導體外延層100之間。半導體外延層100包括第一導電類型限制層、活化層和第二導電類型限制層。保護層層疊在預定的位置，通孔/金屬填充塞115層疊在保護層中的第二通孔中。層疊在半導體外延層100上的圖形化電極116通過通孔/金屬填充塞115、第一反射/歐姆/鍵合層107、第一導電支持襯底109與第一電極111電聯接，形成通孔垂直結構的半導體芯片或器件。 【專利類型】發明申請 【申請人】金芃; 彭一芳; 彭暉 【申請人類型】個人 【申請人地址】100871北京市海淀區北京大學燕東園33樓112號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610145039.8 【申請日】2006-11-30 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101026211A 【公開公告日】2007-08-29 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN101026211B 【授權公告日】2011-02-09 【授權公告年份】2011.0 【IPC分類號】H01L33/00; H01S5/00 【發明人】彭一芳 【主權項內容】1.一種具有導電支持襯底的通孔垂直結構的半導體芯片或器件，其特征在于， 包括： 一半導體外延層； 一第二導電支持襯底； 至少一個第一導電支持襯底；所述的第一和第二導電支持襯底形成在所述的 半導體外延層的同一面上的不同位置；所述的第一和第二導電支持襯底由隔 隙分開而互相電絕緣；所述的半導體外延層的另一面暴露； 至少一個第一半通孔；所述的第一半通孔形成在所述的半導體外延層的預定 的位置上，并且穿過所述的半導體外延層； 至少一個保護層；其中，所述的保護層形成在所述的第一半通孔中； 至少一個第二半通孔；所述的第二半通孔形成在所述的保護層的預定的位置 上，并且穿過所述的保護層； 至少一個金屬填充塞；其中，所述的金屬填充塞形成在所述的第二半通孔中； 所述的金屬填充塞層疊在所述的第一導電支持襯底上； 一圖形化的電極；其中，所述的圖形化的電極層疊在所述的保護層和所述的 半導體外延層的暴露的表面上；所述的金屬填充塞把所述的圖形化的電極和 所述的第一導電支持襯底電連接。 【當前權利人】金芃; 彭一芳; 彭暉 【當前專利權人地址】北京市海淀區北京大學燕東園33樓112號; ; 【引證次數】10.0 【被引證次數】17 【自引次數】9.0 【他引次數】1.0 【被自引次數】3.0 【被他引次數】14.0 【家族引證次數】10.0 【家族被引證次數】17
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