【摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種標(biāo)準(zhǔn)氣體的動(dòng)態(tài)配制系統(tǒng)，該系統(tǒng)由氣路部分和電氣控制部分構(gòu)成；其中，氣路部分包括混氣室、恒溫水槽，恒溫水槽上帶有制冷源、加熱源、循環(huán)水泵，其內(nèi)設(shè)置有滲透型原料標(biāo)準(zhǔn)氣或擴(kuò)散型原料標(biāo)準(zhǔn)氣儲(chǔ)氣裝置；電氣控制部分包括質(zhì)量流
【摘要】 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種耐活性氧腐蝕的新型平 面線陣輻射加熱器，它包括：加熱絲支撐盤(pán)、加熱絲和金屬箔 電極，加熱絲支撐盤(pán)上分布有具一定幾何排布規(guī)律繞線孔陣 列，加熱絲按照一定繞線規(guī)則穿過(guò)繞線孔陣列繞至支撐盤(pán)上， 在支撐盤(pán)兩端邊緣對(duì)稱(chēng)分布有兩個(gè)接線柱插孔，加熱絲端線在 此與金屬箔電極相連形成良好電接觸。本實(shí)用新型能提供高于 800℃加熱溫度，且溫場(chǎng)均勻。與傳統(tǒng)加熱絲型加熱器相比， 由于采用合理幾何設(shè)計(jì)，具有最少的部件，使用及維護(hù)成本很 低；與商用石墨體加熱器相比，使用壽命長(zhǎng)，且無(wú)碳污染，因 此非常適宜氧化物薄膜的生長(zhǎng)。 微信 【專(zhuān)利類(lèi)型】實(shí)用新型 【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院物理研究所 【申請(qǐng)人類(lèi)型】科研單位 【申請(qǐng)人地址】100080北京市海淀區(qū)中關(guān)村南三街8號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】北京市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200620003832.X 【申請(qǐng)日】2006-02-16 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN2888786Y 【公開(kāi)公告日】2007-04-11 【公開(kāi)公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN2888786Y 【授權(quán)公告日】2007-04-11 【授權(quán)公告年份】2007.0 【IPC分類(lèi)號(hào)】H05B3/20; H05B3/03; H05B3/12; C23C14/50; C23C16/44; H05B3/02 【發(fā)明人】李含冬; 杜小龍; 袁洪濤; 曾兆權(quán); 張?zhí)鞗_; 董靖; 王喜娜; 梅增霞; 薛其坤; 賈金鋒 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種耐活性氧腐蝕的新型平面線陣輻射加熱器，其特征在于，包 括：加熱絲支撐盤(pán)、加熱絲和金屬箔電極，加熱絲支撐盤(pán)上分布有繞線 孔陣列，在支撐盤(pán)兩端邊緣對(duì)稱(chēng)分布有兩個(gè)接線柱插孔，所述繞線孔陣 列以?xún)蓚€(gè)接線柱插孔中心連線中垂線為準(zhǔn)，繞線孔在平行于中垂線方向 為平行排布的孔列，且以中垂線為準(zhǔn)左右對(duì)稱(chēng)；孔列與孔列之間間距以 最靠近中垂線孔列開(kāi)始，分別為d，2d，d，2d，……最靠近中垂線的兩 孔列間距為2d，總列數(shù)與d值與加熱絲支撐盤(pán)大小相適配；所述加熱絲 等間距縱橫相間地穿過(guò)加熱絲支撐盤(pán)上繞線孔陣列形成加熱絲單元陣 列，該加熱絲端線通過(guò)金屬箔電極安裝所述接線柱插孔上。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國(guó)科學(xué)院物理研究所 【當(dāng)前專(zhuān)利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)中關(guān)村南三街8號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000400012174C 【引證次數(shù)】3.0 【被引證次數(shù)】3 【自引次數(shù)】3.0 【被自引次數(shù)】1.0 【被他引次數(shù)】2.0 【家族引證次數(shù)】3.0 【家族被引證次數(shù)】3
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