【摘要】 本實用新型涉及一種寬葉輪離心風機、散熱裝置 及大功率調功調壓器。寬葉輪離心風機包括內置有外轉子電 機，其中，所述離心風機的葉輪寬度為140mm至340mm，使 離心風機的排氣口的排風量和風壓有一個高效合理的結合，同 時降低了噪音，
【摘要】 本發明屬于CMOS電平轉換觸發器領域，其特征 在于，含有：該觸發器含有充放電電路，條件開關，保持電路， 時鐘窗口電路，差分輸入的充電以及時鐘脈沖的形成電路，其 中兩個對稱條件開關控制兩條對稱的交叉充放電支路，同時兩 個對稱的保持電路保持相應狀態下的內部節點的狀態，時鐘窗 口電路則允許電路僅在時鐘上升沿的一瞬間觸發器打開，而在 時鐘信號穩定為高的情況下觸發器關閉，避免時鐘電平為穩定 電平期間輸入信號變化而發生的錯誤翻轉，同時由于采用了條 件開關，消除了內部冗余翻轉，因此降低了功耗且能實現低電 平向高電平的轉換。 【專利類型】發明申請 【申請人】清華大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100084北京市100084－82信箱 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610114286.1 【申請日】2006-11-03 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1953327A 【公開公告日】2007-04-25 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100471061C 【授權公告日】2009-03-18 【授權公告年份】2009.0 【發明人】林賽華; 楊華中; 喬飛; 汪蕙 【主權項內容】1、條件放電且差分輸入輸出的CMOS電平轉換觸發器，其特征在于，該觸發器含有充放電 電路，條件開關，保持電路，時鐘窗口電路，差分輸入的充電以及時鐘脈沖的形成電路， 其中： 充放電電路，由兩條放電支路連接而成，其中，一條由PMOS管p3和NMOS管n3串接 而成，另一條由PMOS管p4和NMOS管n4串接而成，所述p3管和p4管的源極相連接 高擺幅的電源電壓VDDH； 條件開關，共兩個，其中： 第一條件開關，由NMOS管n6和NMOS管n5組成，n6管和n5管的兩個源極分別接 輸入數字信號D和地信號0，兩個柵極信號分別接該觸發器的狀態信號HQN和HQ輸出 端，該信號HQN是信號HQ的反相信號，信號HQN連至p3管的柵極進行充電控制，而 兩個漏極相連后接n3關的柵極，實行放電控制， 第二條件開關，由NMOS管n8和NMOS管n7組成，n8管和n7管的兩個源極分別接 輸入數字信號DN和地信號0，DN為信號D的反相信號，兩個柵極信號分別接該觸發器 的狀態信號HQ和HQN輸出端，該信號HQN是信號HQ的反相信號，信號HQ連至p4 管的柵極進行充電控制，而兩個漏極相連后接n4關的柵極，實行放電控制； 保持電路，共兩個，其中： 第一保持電路，由反相器inv1和PMOS管p5組成，該反相器inv1的輸出端與p5的 柵極相連，反相器inv1的輸入端與p3的漏極相連，形成放電電路的輸出端XL，該p5管 的源極接電源電壓VDDH，該p5管的漏極接XL， 第二保持電路，由反相器inv2和PMOS管p6組成，該反相器inv2的輸出端與p6的 柵極相連，反相器inv2的輸入端與p4的漏極相連，形成放電電路的輸出端XR，該p6管 的源極接電源電壓VDDH，該p6管的漏極接XRL， 時鐘窗口電路，由NMOS管n2和NMOS管n1串聯而成，該n2管的漏極同時與放電支 路n3和n4管的源極相連，n2管的柵極接時鐘信號clk，n1管的柵極接時鐘信號的反相信 號clkN，而n1管的源極接地，該窗口電路只在時鐘上升沿的一瞬間開通，防止了時鐘為 高電平期間由于數據信號D變化導致的錯誤翻轉； 差分輸入輸出電路，含有： 由PMOS管p1和NMOS管n11串聯而成的差分電路，該p1管的柵極接所述放電電 路的輸出端XL，而n11管的柵極接信號DN，DN為D信號的反相信號，p1管的漏極和 n11的漏極連接形成該觸發器的輸出端HQ， 由PMOS管p2和NMOS管n12串聯而成的差分電路，該p2管的柵極接所述放電電 路的輸出端XR，而n12管的柵極接信號D，p2管的漏極和n12的漏極連接形成該觸發器 的輸出端HQN，n11和n12的漏極之間串接一條并聯支路，該并聯支路由反相器inv6和 inv7并聯而成， 由NMOS管n10和NMOS管n9串聯而成輸出級的窗口電路，該n10管的漏極同時 與支路n10和n9管的源極相連，n10管的柵極接時鐘信號clk，n9管的柵極接時鐘信號的 反相信號clkN，而n9管的源極接地，該窗口電路只在時鐘上升沿的一瞬間開通，防止了 時鐘為高電平期間由于數據信號D變化導致的錯誤翻轉 時鐘脈沖形成電路，由反相器inv3，inv4，inv5依次串聯而成，所述inv3，inv4，inv5均 由低擺幅電源電壓VDDL供電，反相器inv3的輸入信號為ckl，反相器inv5輸出信號為 clkN； 其中所有PMOS管的襯底接電源電壓VDDH，所有NMOS管的襯底接地，反相器 inv1，inv2，inv6，和inv7的電源電壓為VDDH。 【當前權利人】清華大學 【當前專利權人地址】北京市100084-82信箱 【專利權人類型】公立 【統一社會信用代碼】12100000400000624D 【被引證次數】4 【家族被引證次數】4
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