【摘要】本發明提供一種電調制改變異質結構薄膜樣品電阻的實現方法，即將導電電阻薄膜設置在低電阻的半導體襯底上，通過施加并調制垂直于半導體和導電電阻薄膜之間界面的電壓，改變導電電阻薄膜的水平方向電阻值。本發明還提供一種電調制改變電阻的器件，包括
【摘要】 真空電子發射型顯示器件中的熒光屏，特別涉及一種包含低折射率介質層的真空電子發射型顯示器中的高發光效率高對比度熒光屏，其結構包括：玻璃屏、黑底、彩色濾光膜、熒光粉和陽極鋁膜，其特征在于，在玻璃屏和彩色濾光膜之間還設置一層超低折射率的介質層，其折射率范圍在1.0－1.4之間。本發明具有結構簡單、發光效率高、對比度高等特點，而且材料普通，工藝過程無污染，適合批量生產，能夠極大地改善已有的真空電子發射型顯示器件的性能。 【專利類型】發明申請 【申請人】李德杰 【申請人類型】個人 【申請人地址】100084北京市海淀區成府路北大清華蘭旗營小區8號樓1904 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610087255.1 【申請日】2006-06-15 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101090057A 【公開公告日】2007-12-19 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01J29/18; H01J1/62; H01J1/00 【發明人】李德杰 【主權項內容】1.一種真空電子發射型顯示器件中的高發光效率高對比度熒光屏，主要包括玻璃屏10、黑 底11、彩色濾光膜13、15、17、基色熒光粉14、16、18以及陽極鋁膜19。其特征在于： 還包括設置在玻璃屏和彩色濾光膜之間的一層低折射率介質層12，該層的折射率范圍為 1.0-1.4，厚度大于0.2微米。 【當前權利人】李德杰 【當前專利權人地址】北京市海淀區成府路北大清華蘭旗營小區8號樓1904 【被引證次數】2 【被他引次數】2.0 【家族被引證次數】2
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