【摘要】一種制備半導(dǎo)體納米管的方法，不必借助模板，能夠在不同基底上原位生長出晶化程度良好的半導(dǎo)體納米管，包括步驟：1)將鍍有金屬薄膜的基底或金屬箔放入可抽真空的容器中，抽真空后輸入惰性氣體和反應(yīng)性氣體的混合氣，所述的反應(yīng)性氣體是能夠和金屬反
【摘要】 本發(fā)明屬于用濕化學(xué)方法制備稀土納米熒光材料的技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及具有核殼結(jié)構(gòu)的稀土納米熒光顆粒，以及在水溶液體系中制備單分散、球形、具有核殼結(jié)構(gòu)的稀土納米熒光顆粒的方法。在包含有一或兩種稀土基質(zhì)離子、一種或多種激活劑離子、尿素以及低成本球形二氧化硅納米顆粒為內(nèi)核的水溶液中制備得到的具有核殼結(jié)構(gòu)的稀土納米熒光顆粒的化學(xué)結(jié)構(gòu)式為：GdxY2－xO3 : M3+@SiO2，其中，x為0～2，M3+為激活劑離子。具有均一形貌結(jié)構(gòu)的球形稀土納米熒光材料，其獨特的核殼結(jié)構(gòu)也使其比同類產(chǎn)品具有顯著的熒光增強和成本降低作用。在新型顯示器、防偽技術(shù)、光開關(guān)和光通信等方面都具有廣闊的應(yīng)用前景。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100080北京市海淀區(qū)中關(guān)村北一條2號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610081428.9 【申請日】2006-05-19 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101074374A 【公開公告日】2007-11-21 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100582196C 【授權(quán)公告日】2010-01-20 【授權(quán)公告年份】2010.0 【發(fā)明人】唐芳瓊; 馮華君 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種具有核殼納米結(jié)構(gòu)的稀土熒光顆粒，其特征在于：以球形二氧化硅 納米顆粒為內(nèi)核，以稀土熒光材料為外殼，其化學(xué)結(jié)構(gòu)式為： ？？？？？？？？？？？GdxY2-xO3 : M3+@SiO2 其中，x為0～2，M3+為激活劑離子； 所述的激活劑離子選自Eu3+、Er3+、Nd3+、Yb3+、Ho3+、Sm3+、Tb3+、Dy3+、 Pr3+、Tm3+稀土離子中的一種或一種以上的混合物。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)中關(guān)村北一條2號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000717800662F 【被引證次數(shù)】35 【被他引次數(shù)】35.0 【家族被引證次數(shù)】35
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