【摘要】本發明涉及的農作物秸稈組分組織分級分離方法，步驟如下：將秸稈進行莖、葉、根、皮及穰各部位的粗分 離或者不進行粗分離；再對其進行或分別進行蒸汽爆破處理；然后再分別對蒸汽爆破處理后的不同部位秸稈進行抓分梳理和篩分分級處理，得到農作物秸稈
【摘要】 本發明公開了一種生長高阻GaN薄膜的方法。 本發明方法是在MOCVD設備中進行的，包括烘烤、成核、退 火和外延生長階段，其中，在退火階段，退火壓力在75托以 下。本發明方法通過降低退火階段的反應室壓力(稱為退火壓力) 來增加成核島密度，從而增加刃型位錯，從而獲得自補償的高 阻GaN薄膜，所得高阻GaN薄膜的方塊電阻高，能達到 1011Ω/sq以上，符合工業應用要 求，并且表面平整度高。本發明方法簡單易行，與現有MOCVD 生長GaN基HEMT材料結構的工藝過程兼容，并且不會對 MOCVD系統造成污染。 【專利類型】發明申請 【申請人】北京大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100871北京市海淀區頤和園路5號北京大學 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610144145.4 【申請日】2006-11-28 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1971852A 【公開公告日】2007-05-30 【公開公告年份】2007 【發明人】沈波; 許諫; 許福軍; 苗振林; 潘堯波; 楊志堅; 張國義 【主權項內容】1、一種生長高阻GaN薄膜的方法，是在MOCVD設備中進行的，包括烘烤、成 核、退火和外延生長階段，其特征在于：在退火階段，退火壓力應在75托以下。 【當前權利人】北京大學 【當前專利權人地址】北京市海淀區頤和園路5號北京大學 【專利權人類型】公立 【統一社會信用代碼】12100000400002259P 【被引證次數】TRUE 【家族被引證次數】TRUE
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