【摘要】一種Mg－Sb共摻雜p型ZnO薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：步驟1：采用射頻磁控濺射方法，所需靶材由高純ZnO、MgO和Sb2O3粉末混合壓制而成，得到磁控濺射靶材；步驟2：將襯底加溫至一恒溫；步驟3：利用射頻磁控濺射方
【摘要】 一種工業(yè)以太網(wǎng)的嵌入式實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)，兩塊 CPU板A和B具有相同架構(gòu)和功能，均通過(guò)兩個(gè)網(wǎng)口和中央 控制系統(tǒng)通訊，接受指令，反饋信息。即有四條通訊線(xiàn)路，保 證通信的可靠，增強(qiáng)系統(tǒng)的冗余性。當(dāng)通訊線(xiàn)路發(fā)生故障時(shí)， 報(bào)文交互快速切換到冗余通路完成，而不影響系統(tǒng)工作，異常 工作通路的進(jìn)程自啟動(dòng)，重新連接恢復(fù)正常。兩塊CPU板A 和B并行運(yùn)行vxWorks操作系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)CPU板之間的通訊； 對(duì)主CPU板的檢測(cè)，判斷其是否正常工作；對(duì)從CPU的觸發(fā)， 主從之間的無(wú)縫切換。 【專(zhuān)利類(lèi)型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院電工研究所 【申請(qǐng)人類(lèi)型】科研單位 【申請(qǐng)人地址】100080北京市海淀區(qū)中關(guān)村北二條6號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】北京市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610114317.3 【申請(qǐng)日】2006-11-06 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN1952821A 【公開(kāi)公告日】2007-04-25 【公開(kāi)公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100541365C 【授權(quán)公告日】2009-09-16 【授權(quán)公告年份】2009.0 【發(fā)明人】劉洪池; 葛瓊璇; 張樹(shù)田 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種工業(yè)以太網(wǎng)的嵌入式實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)，其特征在于主要包括兩塊CPU板A和B， 一塊共享內(nèi)存板和其他功能的板卡，所有板卡可通過(guò)VME總線(xiàn)通訊；與上位機(jī)[1、2]的通 訊采用工業(yè)以太網(wǎng)；兩塊CPU板A和B并行運(yùn)行vxWorks操作系統(tǒng)，兩塊CPU板A和B 具有相同架構(gòu)和相同功能，與其他功能板卡構(gòu)成一個(gè)完整的嵌入式控制系統(tǒng)，且互為備份。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國(guó)科學(xué)院電工研究所 【當(dāng)前專(zhuān)利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)中關(guān)村北二條6號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】121000004000124147 【被引證次數(shù)】26 【家族被引證次數(shù)】26
未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載：http://www.mhvdw.cn/1776260587.html
喜歡就贊一下
