【專利類型】外觀設計【申請人】王云飛【申請人類型】個人【申請人地址】100083北京市海淀區花園東路乙9號院1號樓2單元502【申請人地區】中國【申請人城市】北京市【申請人區縣】海淀區【申請號】CN200630315428.1【申請日】20
【摘要】 一種利用倒裝技術制作功率型微結構發光二極管管芯的方法，包括如下步驟：1)在藍寶石襯底上生長外延層結構；2)在外延層結構上刻蝕形成圓臺；3)制作n型網狀歐姆接觸電極和電極焊點；4)在整個器件結構的上表面淀積二氧化硅或氮化硅絕緣層；5)將圓臺上表面的絕緣層腐蝕掉；6)在整個器件結構的上表面除電極焊點外的其它區域淀積p型加厚高反射率金屬電極；7)光刻腐蝕n電極焊點上面的絕緣層；8)將藍寶石襯底的背面減薄，切割成單個管芯結構；9)在硅支撐體上的淀積介質層；10)將管芯結構通過凸點與硅支撐體倒裝焊接；11)切割，形成發光二極管管芯。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院半導體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區清華東路甲35號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610003199.9 【申請日】2006-02-24 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101026204A 【公開公告日】2007-08-29 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100479208C 【授權公告日】2009-04-15 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L33/00; H01L33/48; H01L33/60; H01L33/62; H01L33/64 【發明人】郭金霞; 王良臣 【主權項內容】1、一種利用倒裝技術制作功率型微結構發光二極管管芯 的方法，其特征在于，包括如下步驟： 1)在藍寶石襯底上生長氮化鎵外延層結構； 2)在外延層結構上以二氧化硅作掩蔽干法刻蝕，形成圓 臺，提高發光二極管的提取效率； 3)在圓臺周圍的平面上制作n型網狀歐姆接觸電極和電 極焊點，使功率型微結構發光二極管的電流擴展更為均勻； 4)在整個器件結構的上表面淀積二氧化硅或氮化硅絕緣 層，該層作為雙層布線的絕緣層，同時作為刻蝕完圓臺后的臺 面鈍化層，以減小因有源層暴露引起的漏電； 5)將圓臺上表面的絕緣層腐蝕掉，在圓臺上面制作p 型歐姆接觸電極； 6)在整個器件結構的上表面除電極焊點外的其它區域淀 積p型加厚高反射率金屬電極，將所有的p型歐姆接觸電極互 連起來，減小發光二極管的串聯電阻； 7)光刻腐蝕n電極焊點上面的絕緣層，暴露n電極焊點； 8)將藍寶石襯底的背面減薄，按照設計的管芯大小將器 件結構切割成單個管芯結構； 9)在硅支撐體上的淀積介質層，將N電極區域的介質層 腐蝕掉，在P、N電極區同時淀積高反射率金屬焊接層，并在 上面制作凸點，該凸點的材料為金或錫； 10)將管芯結構通過凸點與硅支撐體倒裝焊接； 11)切割，形成發光二極管管芯。 【當前權利人】中國科學院半導體研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區清華東路甲35號 【統一社會信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數】24 【被他引次數】24.0 【家族引證次數】3.0 【家族被引證次數】24
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