【摘要】本發(fā)明公開了一種生長高阻GaN薄膜的方法。 本發(fā)明方法是在MOCVD設(shè)備中進行的，包括烘烤、成核、退 火和外延生長階段，其中，在退火階段，退火壓力在75托以 下。本發(fā)明方法通過降低退火階段的反應(yīng)室壓力(稱為退火壓力) 來增加成核島密
【摘要】 本發(fā)明公開了組氨酸熒光探針及其專用熒光化合物。本發(fā)明所提供的熒光化合物，其結(jié)構(gòu)如式I所示，其中，n為1－4的整數(shù)，R為含共軛芳香環(huán)的熒光功能基團，M為鉀或者鈉。本發(fā)明熒光化合物合成簡單，水溶性好，與Cu2+形成的絡(luò)合物可以用于組氨酸的檢測，檢測限低，檢測靈敏度和選擇性高，具有廣泛的應(yīng)用前景。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院化學(xué)研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100080北京市海淀區(qū)中關(guān)村北一街2號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610057593.0 【申請日】2006-03-16 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101037595A 【公開公告日】2007-09-19 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】C09K11/06; G01N33/52 【發(fā)明人】李洪祥; 胡文平; 付艷艷 【主權(quán)項內(nèi)容】1、式I結(jié)構(gòu)的化合物， (式I) 其中，n為1-4的整數(shù)，R為含共軛芳香環(huán)的熒光功能基團，M為鉀或者鈉。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院化學(xué)研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)中關(guān)村北一街2號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000400012238A 【被引證次數(shù)】9 【被他引次數(shù)】9.0 【家族被引證次數(shù)】9
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