【摘要】本發(fā)明公開了一種游戲形象變身的方法，該方法 包括：A.客戶端選擇變身形象，將玩家編號和所述變身形象相 應(yīng)的變身形象編號發(fā)送到服務(wù)器；B.服務(wù)器根據(jù)所述玩家編號 和所述變身形象編號，設(shè)置玩家為變身狀態(tài)，向客戶端發(fā)送變 身成功消息；C.
【摘要】 本發(fā)明涉及一種基于閉合狀磁性多層膜的磁性 隨機存取存儲器，其使用閉合狀磁性多層膜或閉合狀含金屬芯 的磁性多層膜作為存儲單元。該MRAM是通過流經(jīng)存儲單元 中的電流的大小和方向來實現(xiàn)讀操作和寫操作；或是通過對存 儲單元中的金屬芯施加的電流來實現(xiàn)寫操作，通過對存儲單元 中的閉合狀磁性多層膜施加的隧穿電流來實現(xiàn)讀操作。與現(xiàn)有 技術(shù)相比，該MRAM通過采用新的閉合狀的磁性多層膜作為 存儲單元，利用正負兩個方向的極化隧穿電流自身產(chǎn)生的環(huán)行 磁場或者金屬芯中正負兩個方向的驅(qū)動電流產(chǎn)生的環(huán)形磁場， 并結(jié)合自旋轉(zhuǎn)力矩效應(yīng)，進行數(shù)據(jù)的讀寫操作，使得MRAM 的控制更加簡便，并降低了結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性、制造工藝難度及成 本，提高了應(yīng)用價值。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學院物理研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100080北京市海淀區(qū)中關(guān)村南三街8號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610011168.8 【申請日】2006-01-11 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1901088A 【公開公告日】2007-01-24 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100476995C 【授權(quán)公告日】2009-04-08 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號】G11C11/15; G11C7/00; G11C11/02 【發(fā)明人】韓秀峰; 馬明; 姜麗仙; 韓宇男; 覃啟航; 魏紅祥 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種基于閉合狀磁性多層膜的磁性隨機存取存儲器，其特征在于：使用閉合狀 磁性多層膜或閉合狀含金屬芯的磁性多層膜作為存儲單元。 【當前權(quán)利人】中國科學院物理研究所 【當前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)中關(guān)村南三街8號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000400012174C 【引證次數(shù)】1.0 【被引證次數(shù)】6 【自引次數(shù)】1.0 【被自引次數(shù)】6.0 【家族引證次數(shù)】3.0 【家族被引證次數(shù)】6
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