【摘要】本發明公開了一種線性諧振腔窄線寬寬可調諧 光纖激光器，泵浦光源輸出的泵浦光經光纖波分復用器的C端 進入，經光纖波分復用器的A端傳輸給第一摻雜光纖，第一摻 雜光纖吸收泵浦光后會產生熒光，所述熒光在第一摻雜光纖中 向R方向和L方向傳輸，
【摘要】 本發明涉及一種水熱法生長氟硼鈹酸銣/銫單晶體的方法，其為將氟硼鈹酸銣/銫營養料15～300g放置于黃金襯套中的底部，按60～80％的充滿度在黃金襯套中加入含有0～2.5mol/L礦化劑的去離子水或蒸餾水溶液，調整溶液的pH值1.0～14.0；在營養料的上方放置一個開孔率為7～15％的黃金擋板，在黃金襯套的頂部懸掛籽晶；加熱使得生長區平均溫度為300～425℃，溶解區平均溫度為380～500℃，壓力P≤200MPa；經過10～90天，得到氟硼鈹酸銣/銫單晶體。本發明工藝簡單、成本低廉，可以使得在晶體c方向生長的長度達到厘米量級甚至更高；得到的晶體質量也優于助熔劑法生長的晶體，更有利于應用。 ： 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院理化技術研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100080北京市海淀區中關村北一條2號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610072719.1 【申請日】2006-04-07 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101050543A 【公開公告日】2007-10-10 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100425742C 【授權公告日】2008-10-15 【授權公告年份】2008.0 【發明人】胡章貴; 陳創天; 劉有臣; 王曉洋 【主權項內容】1、一種水熱法生長氟硼鈹酸銣/銫單晶體的方法，其為在高壓釜中，利用高溫高 壓的純水，或酸、堿、鹽的溶液使得氟硼鈹酸銣/銫溶解并再結晶生長單晶體的方法。 【當前權利人】中國科學院理化技術研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區中關村北一條2號 【統一社會信用代碼】12100000717800662F 【被引證次數】7 【被他引次數】5.0 【家族被引證次數】7
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