【摘要】一半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括有一半導(dǎo)體芯片，其一表面定義有一電連接區(qū)與一非電連接區(qū)，且該電連接區(qū)內(nèi)設(shè)置有多個(gè)芯片焊墊；一基板，其相對于該半導(dǎo)體芯片的一表面具有多個(gè)對應(yīng)于該些芯片焊墊的基板焊墊；一芯片支架，設(shè)于該基板上，用以支撐該半導(dǎo)體芯片
【摘要】 本發(fā)明提供了一種常規(guī)源端抬高漏端的肖特基 勢壘源漏MOS晶體管及其制作方法。所述MOS晶體管的源漏 具有不對稱結(jié)構(gòu)，選擇兩種不同的金屬材料，通過兩次金屬硅 化反應(yīng)，控制反應(yīng)時(shí)間，可以獲得高度不同的肖特基勢壘源漏。 通過選擇不同的肖特基勢壘組合，本發(fā)明的MOS晶體管還可 以獲得大的開關(guān)態(tài)電流比，或者是獲得大的開態(tài)電流，同時(shí)盡 可能的減小器件的關(guān)態(tài)漏電流。其制作工藝在與傳統(tǒng)的 MOSFET制作工藝保持完全兼容的同時(shí)，降低了工藝的復(fù)雜 性，相較于先前的不對稱肖特基勢壘MOS晶體管的制作工藝， 該制作方法具有自對準(zhǔn)的特點(diǎn)，使得器件有望應(yīng)用于亞50納 米尺度的集成電路生產(chǎn)。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】北京大學(xué) 【申請人類型】學(xué)校 【申請人地址】100871北京市海淀區(qū)頤和園路5號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610140390.8 【申請日】2006-12-08 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1964072A 【公開公告日】2007-05-16 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100448027C 【授權(quán)公告日】2008-12-31 【授權(quán)公告年份】2008.0 【IPC分類號】H01L29/78; H01L29/47; H01L21/336; H01L21/28; H01L29/66; H01L21/02; H01L29/40 【發(fā)明人】孫雷; 李定宇; 張盛東; 吳濤; 韓汝琦; 劉曉彥 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種不對稱肖特基勢壘源漏MOS晶體管，包括一柵電極，一柵介質(zhì)層， 一柵電極側(cè)墻介質(zhì)層，一半導(dǎo)體襯底，一源區(qū)和一漏區(qū)；所述半導(dǎo)體襯底具有臺階 結(jié)構(gòu)；所述柵電極位于臺階處、柵介質(zhì)層之上；所述柵介質(zhì)層位于半導(dǎo)體襯底之上， 柵電極之下；所述漏區(qū)位于較高臺階一側(cè)、半導(dǎo)體襯底之上，柵介質(zhì)層將其與柵電 極隔開；所述漏區(qū)位于較低臺階一側(cè)、半導(dǎo)體襯底之上；所述柵電極側(cè)墻介質(zhì)層位 于柵電極靠近源區(qū)一側(cè)、柵介質(zhì)層之上；其中，所述源區(qū)和漏區(qū)由分別由兩層金屬 或金屬與半導(dǎo)體形成的化合物材料構(gòu)成。 【當(dāng)前權(quán)利人】北京大學(xué) 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)頤和園路5號 【專利權(quán)人類型】公立 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000400002259P 【被引證次數(shù)】4 【被他引次數(shù)】4.0 【家族引證次數(shù)】4.0 【家族被引證次數(shù)】6
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