【摘要】本發(fā)明公開一種數(shù)字信號(hào)的重采樣方法，用于將輸入的長(zhǎng)度為W1的象素序列O降采樣，輸出長(zhǎng)度為W2的象素序列R，W1＞W(wǎng)2，其特征在于，重采樣時(shí)，逐步輸入序列O中的W1個(gè)象素時(shí)，有X1次對(duì)S1個(gè)象素取平均作為輸出序列R的一個(gè)象素，有X2次
【摘要】 本發(fā)明涉及一種單根納米線或陣列式納米線的生長(zhǎng)制備方法，其為將模板法和微加工技術(shù)結(jié)合起來(lái)，先制備母板，然后通過(guò)電化學(xué)氧化法，在鋁或鋁合金表面形成具有各種孔徑及孔深的氧化鋁母板；然后利用微加工技術(shù)將所需位置的障壁層刻透，形成所需形狀、大小、位置的納米通道；最后按照常規(guī)的薄膜制備方法，向納米通道內(nèi)填充或沉積各種材料，得到單根納米線或納米線點(diǎn)陣。該方法可以制得直徑1～1000nm，長(zhǎng)度0.1nm～100μm的納米線。本發(fā)明的優(yōu)異之處在于可精確控制單根納米線或納米線點(diǎn)陣數(shù)量、大小、形狀、空間分布，從而實(shí)現(xiàn)納米線和納米點(diǎn)用于實(shí)際納米器件和高密度垂直磁記錄介質(zhì)時(shí)性能的可控調(diào)制。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院物理研究所 【申請(qǐng)人類型】科研單位 【申請(qǐng)人地址】100080北京市海淀區(qū)中關(guān)村南三街8號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】北京市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610072720.4 【申請(qǐng)日】2006-04-07 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN101049905A 【公開公告日】2007-10-10 【公開公告年份】2007 【發(fā)明人】張謝群; 瑞哈娜; 姜麗仙; 莎麥拉; 韓宇男; 韓秀峰 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種單根納米線或陣列式納米線的生長(zhǎng)制備方法，其為將模板法和微加工技術(shù) 結(jié)合起來(lái)，形成所需形狀、大小、位置的納米通道，然后在納米通道內(nèi)生長(zhǎng)單根納米 線或陣列式納米線點(diǎn)陣。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國(guó)科學(xué)院物理研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)中關(guān)村南三街8號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000400012174C 【被引證次數(shù)】11 【被他引次數(shù)】11.0 【家族被引證次數(shù)】11
未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載：http://www.mhvdw.cn/1776150622.html
喜歡就贊一下
