【摘要】本發明涉及一種構造低密度奇偶校驗碼的方法、 譯碼方法，以及利用低密度奇偶校驗碼的傳輸系統。該方法包 括：利用固定圖樣構造低密度奇偶校驗碼的低密度奇偶校驗矩 陣；將信源(101)發出的數據進行分塊，直接或間接利用上述構 造的奇偶校驗矩
【摘要】 一種制備氧化鋅薄膜材料的方法，特別是指一種利用SOI可協變襯底，采用磁控濺射設備制備生長氧化鋅薄膜材料的方法，其特征在于，包括如下步驟：步驟1：選用頂部具有超薄硅單晶層的SOI材料作為硅基可協變襯底；步驟2：將濺射靶材裝入磁控濺射設備主生長室；步驟3：進行濺射靶材的表面預濺射處理；步驟4：將清洗過的SOI可協變襯底裝入磁控濺射設備的主生長室；步驟5：進行SOI可協變襯底的加熱烘烤除氣處理；步驟6：氧化鋅薄膜材料的磁控濺射方法制備生長；步驟7：氧化鋅薄膜材料的原位退火處理；步驟8：將降到室溫的氧化鋅樣品取出，完成氧化鋅薄膜材料的制備。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院半導體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區清華東路甲35號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610003072.7 【申請日】2006-02-08 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101017776A 【公開公告日】2007-08-15 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100424825C 【授權公告日】2008-10-08 【授權公告年份】2008.0 【IPC分類號】H01L21/203; C23C14/35; C23C14/58; C23C14/00; H01L21/02 【發明人】楊少延; 陳涌海; 李成明; 范海波; 王占國 【主權項內容】1.一種制備氧化鋅薄膜材料的方法，特別是指一種利用 SOI可協變襯底，采用磁控濺射設備制備生長氧化鋅薄膜材料的 方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟1：選用頂部具有超薄硅單晶層的SOI材料作為硅基 可協變襯底； 步驟2：將濺射靶材裝入磁控濺射設備主生長室； 步驟3：進行濺射靶材的表面預濺射處理； 步驟4：將清洗過的SOI可協變襯底裝入磁控濺射設備的 主生長室； 步驟5：進行SOI可協變襯底的加熱烘烤除氣處理； 步驟6：氧化鋅薄膜材料的磁控濺射方法制備生長； 步驟7：氧化鋅薄膜材料的原位退火處理； 步驟8：將降到室溫的氧化鋅樣品取出，完成氧化鋅薄膜 材料的制備。 【當前權利人】中國科學院半導體研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區清華東路甲35號 【統一社會信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數】5 【被自引次數】1.0 【被他引次數】4.0 【家族引證次數】3.0 【家族被引證次數】10
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