【摘要】變化狀態俯視參考圖與變化狀態仰視參考圖與俯視圖、仰 視圖相同，省略變化狀態俯視參考圖與變化狀態仰視參考圖。【專利類型】外觀設計【申請人】陳江廣【申請人類型】個人【申請人地址】100055北京市宣武區紅蓮南里6號院樂城小區7號樓1單元
【摘要】 本發明一種碳化硅襯底氮化鎵高電子遷移率晶體管的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：選擇一種碳化硅襯底；采用金屬有機物化學氣相沉積法，在襯底上生長一層高溫氮化鋁成核層；改變襯底溫度，在高溫氮化鋁成核層上生長非有意摻雜或摻雜氮化鎵高阻層；改變生長室壓力，在非有意摻雜或摻雜氮化鎵高阻層上生長非有意摻雜高遷移率氮化鎵層；改變襯底溫度和生長室壓力，在非有意摻雜高遷移率氮化鎵層上生長氮化鋁插入層；最后在氮化鋁插入層上生長鋁鎵氮層。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院半導體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區清華東路甲35號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610011228.6 【申請日】2006-01-18 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101005034A 【公開公告日】2007-07-25 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100452322C 【授權公告日】2009-01-14 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L21/335; H01L21/20; H01L29/02; H01L29/772; H01L21/02; H01L29/66 【發明人】王曉亮; 胡國新; 馬志勇; 冉學軍; 王翠敏; 肖紅領; 王軍喜; 李建平; 曾一平; 李晉閩 【主權項內容】1.一種碳化硅襯底氮化鎵高電子遷移率晶體管的制作方 法，其特征在于，包括如下步驟： 選擇-碳化硅襯底； 采用金屬有機物化學氣相沉積法，在襯底上生長一層高溫 氮化鋁成核層； 改變襯底溫度，在高溫氮化鋁成核層上生長非有意摻雜或 摻雜氮化鎵高阻層； 改變生長室壓力，在非有意摻雜或摻雜氮化鎵高阻層上生 長非有意摻雜高遷移率氮化鎵層； 改變襯底溫度和生長室壓力，在非有意摻雜高遷移率氮化 鎵層上生長氮化鋁插入層； 最后在氮化鋁插入層上生長鋁鎵氮層。 【當前權利人】中國科學院半導體研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區清華東路甲35號 【統一社會信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數】10 【被自引次數】2.0 【被他引次數】8.0 【家族引證次數】5.0 【家族被引證次數】10
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