【摘要】俯視圖和仰視圖無(wú)設(shè)計(jì)要點(diǎn)，省略俯視圖和仰視圖?！緦?zhuān)利類(lèi)型】外觀設(shè)計(jì)【申請(qǐng)人】劉慶彩【申請(qǐng)人類(lèi)型】個(gè)人【申請(qǐng)人地址】100045北京市西城區(qū)西便門(mén)外大街4號(hào)1棟2門(mén)18號(hào)【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó)【申請(qǐng)人城市】北京市【申請(qǐng)人區(qū)縣】西城區(qū)【申請(qǐng)
【摘要】 本發(fā)明涉及一種多孔硅發(fā)光器件，屬于光電子技 術(shù)領(lǐng)域。其特征在于，它利用表面等離子體波的Purcell效應(yīng)增 強(qiáng)了多孔硅的發(fā)光。通過(guò)在多孔硅層上形成表面等離子體波 導(dǎo)，多孔硅中發(fā)出的光先耦合到表面等離子體波導(dǎo)的導(dǎo)模中 去，然后再散射到自由空間中去。由于表面等離子體波導(dǎo)的導(dǎo) 模的態(tài)密度很大，多孔硅的自發(fā)輻射被大大加強(qiáng)了，所以發(fā)光 效率得以很大程度的提高，這使得多孔硅成為高效硅基發(fā)光器 件在材料方面的有力候選，并且為光電集成、光互聯(lián)等實(shí)際應(yīng) 用提供可能。 【專(zhuān)利類(lèi)型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】清華大學(xué) 【申請(qǐng)人類(lèi)型】學(xué)校 【申請(qǐng)人地址】100084北京市100084－82信箱 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】北京市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610089727.7 【申請(qǐng)日】2006-07-14 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN1889282A 【公開(kāi)公告日】2007-01-03 【公開(kāi)公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100395902C 【授權(quán)公告日】2008-06-18 【授權(quán)公告年份】2008.0 【IPC分類(lèi)號(hào)】H01L33/00 【發(fā)明人】胡小龍; 黃翊東; 張巍; 彭江得 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種多孔硅發(fā)光器件，其特征在于，該發(fā)光器件是由一層金屬薄膜和一層多孔硅發(fā) 光層構(gòu)成，所述金屬薄膜作為表面等離子體波導(dǎo)并且附著在多孔硅上，所述金屬薄膜為金、 銀以及合金的薄膜，其厚度限定在10～100nm，所述多孔硅是由任何一種通過(guò)電化學(xué)腐蝕的 方法制備的硅的多孔發(fā)光材料。 【當(dāng)前權(quán)利人】清華大學(xué) 【當(dāng)前專(zhuān)利權(quán)人地址】北京市100084－82信箱 【專(zhuān)利權(quán)人類(lèi)型】公立 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000400000624D 【被引證次數(shù)】10 【被自引次數(shù)】2.0 【被他引次數(shù)】8.0 【家族引證次數(shù)】4.0 【家族被引證次數(shù)】10
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