【摘要】一種含有表皮生長因子(EGF)的表皮再生組合物及其使用方法。每克的表皮再生組合物中至少含有0.3微克的表皮生長因子，表皮再生組合物成分還包含：去離子水、膠原蛋白、天然保濕因子(NMF)、熊果素(Arbutin)、水解粘多糖、透明質(zhì)酸
【摘要】 一種寬光譜砷化銦/砷化銦鎵/砷化鎵量子點(diǎn)材料生長方法，包括如下步驟：在襯底上制備砷化鎵緩沖層，該緩沖層是下述有源區(qū)的下勢壘層；在砷化鎵緩沖層上制備有源區(qū)，該有源區(qū)是該砷化銦/砷化銦鎵/砷化鎵量子點(diǎn)材料的核心部分，為該材料的光譜發(fā)射區(qū)；在有 源區(qū)上制備低溫砷化鎵蓋層，該低溫砷化鎵蓋層為上述有源區(qū)的上勢壘層；在低溫砷化鎵蓋層上制備高溫砷化鎵蓋層，該高溫砷化鎵蓋層是該砷化銦/砷化銦鎵/砷化鎵量子點(diǎn)材料的最外一層，具有保護(hù)作用。本發(fā)明能應(yīng)用于超輻射發(fā)光管等需要寬光譜特性的半導(dǎo)體光電子器件有源區(qū)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)和外延生長。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區(qū)清華東路甲35號(hào) 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610002667.0 【申請日】2006-01-26 【申請年份】2006 【公開公告號(hào)】CN101007944A 【公開公告日】2007-08-01 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100487864C 【授權(quán)公告日】2009-05-13 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號(hào)】C09K11/62; H01L33/00; H01L33/04 【發(fā)明人】劉寧; 金鵬; 王占國 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種寬光譜砷化銦/砷化銦鎵/砷化鎵量子點(diǎn)材料生長 方法，其特征在于，所述材料生長方法是基于分子束外延設(shè)備 的掩埋自組織量子點(diǎn)材料的生長方法，其中包括如下步驟： (1)取一襯底； (2)在襯底上制備砷化鎵緩沖層，該緩沖層是下述有源 區(qū)的下勢壘層； (3)在砷化鎵緩沖層上制備有源區(qū)，該有源區(qū)是該砷化 銦/砷化銦鎵/砷化鎵量子點(diǎn)材料的核心部分，為該材料的光譜 發(fā)射區(qū)； (4)在有源區(qū)上制備低溫砷化鎵蓋層，該低溫砷化鎵蓋 層為上述有源區(qū)的上勢壘層； (5)在低溫砷化鎵蓋層上制備高溫砷化鎵蓋層，該高溫 砷化鎵蓋層是該砷化銦/砷化銦鎵/砷化鎵量子點(diǎn)材料的最外 一層，具有保護(hù)作用。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)清華東路甲35號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數(shù)】4 【被自引次數(shù)】1.0 【被他引次數(shù)】3.0 【家族引證次數(shù)】5.0 【家族被引證次數(shù)】5
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