【摘要】本實(shí)用新型公開了一種晶片臺(tái)角度調(diào)整裝置，包括靜電卡盤基座、晶片臺(tái)基座、密封法蘭、導(dǎo)向座、運(yùn)動(dòng)軸、微電機(jī)，其中所述可旋轉(zhuǎn)靜電卡盤基座在晶片臺(tái)基座上，晶片臺(tái)基座固定在可旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)軸的一端，運(yùn)動(dòng)軸穿過(guò)導(dǎo)向座、密封法蘭，運(yùn)動(dòng)軸的另一端連接微電
【摘要】 一種利用原子力顯微鏡的套刻對(duì)準(zhǔn)方法及裝置， 其方法包括以下步驟：(1)在第一層圖形寫入的同時(shí)寫入套刻對(duì) 準(zhǔn)標(biāo)記；(2)在第二層圖形刻寫之前對(duì)其工作區(qū)域掃描成像，根 據(jù)掃描成像的結(jié)果對(duì)第二層圖形結(jié)構(gòu)的坐標(biāo)進(jìn)行修正；(3)以修 正后的圖形坐標(biāo)刻寫第二層圖形結(jié)構(gòu)；(4)多層圖形結(jié)構(gòu)的坐標(biāo) 均依據(jù)原子力顯微鏡掃描結(jié)果進(jìn)行修正，從而完成套刻加工。 應(yīng)用上述套刻對(duì)準(zhǔn)方法的裝置，包括以壓電陶瓷閉環(huán)定位系統(tǒng) 作為掃描器的原子力顯微鏡、光學(xué)觀測(cè)鏡、機(jī)械調(diào)節(jié)平臺(tái)與電 壓開關(guān)電路[8]，電壓開關(guān)電路[8]控制加工電壓。本發(fā)明利用原 子力顯微鏡自身的成像功能與壓電陶瓷閉環(huán)定位系統(tǒng)[5]進(jìn)行 測(cè)量與定位，在不引進(jìn)復(fù)雜的高精度光學(xué)對(duì)準(zhǔn)設(shè)備的條件下可 實(shí)現(xiàn)高精度的套刻加工。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院電工研究所 【申請(qǐng)人類型】科研單位 【申請(qǐng)人地址】100080北京市海淀區(qū)中關(guān)村北二條6號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】北京市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610164888.8 【申請(qǐng)日】2006-12-07 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN1971845A 【公開公告日】2007-05-30 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100541708C 【授權(quán)公告日】2009-09-16 【授權(quán)公告年份】2009.0 【發(fā)明人】李曉娜; 韓立 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種利用原子力顯微鏡的套刻對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于包含以下幾個(gè)步驟： (1)利用原子力顯微鏡刻蝕技術(shù)在制作第一層圖形的同時(shí)制作套刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，計(jì)算機(jī)記 錄對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記相對(duì)于該工作區(qū)域的坐標(biāo)值； (2)將探針移出工作區(qū)域進(jìn)行制備第二層圖形的準(zhǔn)備，再通過(guò)原子力顯微鏡自身配備的 低分辨率光學(xué)觀測(cè)系統(tǒng)與低精度機(jī)械調(diào)節(jié)系統(tǒng)將探針移至工作區(qū)域內(nèi)； (3)利用原子力顯微鏡的成像功能，在制備第二層圖形之前，對(duì)此時(shí)的工作區(qū)域進(jìn)行掃 描，計(jì)算機(jī)記錄對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記相對(duì)于此時(shí)的工作區(qū)域的坐標(biāo)值； (4)通過(guò)計(jì)算機(jī)對(duì)原子力顯微鏡測(cè)量得到的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記坐標(biāo)值與原記錄的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記坐標(biāo)值 之間的差值進(jìn)行計(jì)算，得到位移、角度的補(bǔ)償值； (5)利用該補(bǔ)償值修正第二層圖形的坐標(biāo)，通過(guò)壓電陶瓷閉環(huán)定位系統(tǒng)，按照修正后的 坐標(biāo)，精確控制第二層圖形的刻寫； (6)對(duì)于多于兩層的圖形結(jié)構(gòu)的制造，利用所述套刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，逐層按照步驟(2)(3)(4)(5) 進(jìn)行刻寫，實(shí)現(xiàn)多層圖形結(jié)構(gòu)的高精度套刻。 ： 【當(dāng)前權(quán)利人】中國(guó)科學(xué)院電工研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)中關(guān)村北二條6號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】121000004000124147 【被引證次數(shù)】TRUE 【家族被引證次數(shù)】TRUE
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