【摘要】右視圖與左視圖對稱，省略右視圖。【專利類型】外觀設計【申請人】張亮【申請人類型】個人【申請人地址】100044北京市海淀區昌運宮3號樓16-02室【申請人地區】中國【申請人城市】北京市【申請人區縣】海淀區【申請號】CN2006300
【摘要】 一種磁性超分子插層結構緩釋型雙氯芬酸鈉及其制備方法，屬于水滑石材料技術領域。磁性雙氯芬酸鈉的化學式為：(M2+)1－x(N3+)x(OH)2(DIK－)a(Bn－)b·mH2O·kM’Fe2O4。其制備是先采用共沉淀法方法制備納米級磁性核，將該磁性核與相應的鹽溶液混合，再利用共沉淀法將雙氯芬酸鈉組裝入水滑石層間，同時得到含有磁性核的雙氯芬酸鈉插層水滑石。優點在于：制備了一種新的磁性超分子插層結構雙氯芬酸鈉緩釋劑型；由于雙氯芬酸鈉插層在水滑石層間，可以增強其穩定性，并提高其生物利用度；可以通過外加磁場達到提高分散性和靶向定位的效果；可實現對磁性藥物的結構、組成、磁性大小、釋放量和釋放持效期的調控。 【專利類型】發明申請 【申請人】北京化工大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100029北京市朝陽區北三環東路15號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】朝陽區 【申請號】CN200610165224.3 【申請日】2006-12-14 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1973831A 【公開公告日】2007-06-06 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100581538C 【授權公告日】2010-01-20 【授權公告年份】2010.0 【發明人】張慧; 鄒亢; 盤登科 【主權項內容】1.一種磁性超分子插層結構緩釋型雙氯芬酸鈉，其晶體結構為類水滑石 材料的晶體結構，其特征在于：化學式為：(M2+)1-x(N3+)x(OH)2(DIK-)α(Bn-)b·mH2O·kM’Fe2O4 ；其中(M2+)1-x(N3+)x(OH)2(DIK-)a(Bn-)b·mH2O 簡寫為DIK-LDHs，M’Fe2O4為磁性物種，DIK-LDHs為包覆在M’Fe2O4外 的雙氯芬酸鈉插層水滑石；其質量百分含量為：M’Fe2O4：1％～10％； DIK-LDHs：90％～99％，其中，DIK：40％～60％；M2+為二價金屬離 子Zn2+、Mg2+中的任何一種；N3+為三價金屬離子Al3+、Fe3+中的任何一種； M’為Mg2+、Ni2+二價金屬離子其中的任何一種，M2+與M’相同或不同；DIK- 代表層間一價布洛芬陰離子；Bn-為荷電量為n的無機陰離子，DIK-LDHs 化學式中Bn-可以不存在或為CO3 2-、NO3 -中的1～2種；x＝N3+/(M2++N3+)， 0＜x＜1；a、b分別為DIK-、Bn-的數量，且滿足a+n×b＝x，m為結晶水數， 0＜m＜5，k為M’Fe2O4分子系數。 數據由整理 【當前權利人】北京化工大學 【當前專利權人地址】北京市朝陽區北三環東路15號 【統一社會信用代碼】1210000040000182XD 【被引證次數】TRUE 【家族被引證次數】TRUE
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