【摘要】一種采用負(fù)性電子抗蝕劑制備納米電極的方法。本發(fā)明的主要特征是利用電子束光刻(EBL)在各種襯底上獲得間距為納米尺度的一對(duì)或一組負(fù)性電子抗蝕劑凸立圖形，再用刻蝕工藝制備各種材料的納米電極。其主要步驟包括：在絕緣襯底上生長(zhǎng)導(dǎo)電性好的金屬
【摘要】 本實(shí)用新型屬于一種多音位固定山口式揚(yáng)琴，采用揚(yáng)琴的左山口和右山口的下端直接固設(shè)于兩琴頭的上端，左山口和右山口之間為琴面音板，左山口和右山口的外端為設(shè)有各琴弦柱的左右琴頭。本實(shí)用新型去掉左右滾板，以擴(kuò)大琴面音板有效使用面積，使音域擴(kuò)展分布加寬，以擴(kuò)大擊弦部距離，防止誤擊，有減化結(jié)構(gòu)和降低成本及便于演奏的優(yōu)點(diǎn)。 【專利類型】實(shí)用新型 【申請(qǐng)人】李玲玲 【申請(qǐng)人類型】個(gè)人 【申請(qǐng)人地址】100043北京市朝陽(yáng)區(qū)交翔路甲1號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】北京市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】朝陽(yáng)區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200620167496.2 【申請(qǐng)日】2006-12-15 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN200993868Y 【公開公告日】2007-12-19 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN200993868Y 【授權(quán)公告日】2007-12-19 【授權(quán)公告年份】2007.0 【IPC分類號(hào)】G10D1/00 【發(fā)明人】李玲玲 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種多音位固定山口式揚(yáng)琴，由琴頭、活動(dòng)調(diào)音弦枕、琴弦和共鳴箱所 組成，其特征在于：揚(yáng)琴的左山口和右山口的下端直接固設(shè)于兩琴頭的上端，左 山口和右山口之間為琴面音板，左山口和右山口的外端為設(shè)有各琴弦柱的左右琴 頭。 【當(dāng)前權(quán)利人】李玲玲 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市朝陽(yáng)區(qū)交翔路甲1號(hào)
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