【摘要】平面產品，省略其他視圖。【專利類型】外觀設計【申請人】張樹賓【申請人類型】個人【申請人地址】652500云南省澄江縣翠竹小區40幢1號【申請人地區】中國【申請人城市】玉溪市【申請人區縣】澄江市【申請號】CN200630020871.
【摘要】 本發明提供一種低溫雙離子束濺射Ge/Si多層膜自組織Ge量子點的制備方法，使用氬(Ar)氣作為工作氣體，包括兩個離子束濺射槍，其特征在于在工作室本底真空壓強小于3.0×10－4Pa，基片溫度為200℃～400℃，工作氣體(Ar)真空度為1.0×10－2Pa～4.0×10－2Pa的條件下，用雙離子束濺射技術在硅(Si)基底材料上交替濺射沉積Si空間層和Ge量子點層。它利用前一層Ge量子點所產生的表面應變勢場作用，實現后續層Ge量子點的有序生長，提高了薄膜表面平整度和成膜質量，獲得了高密度、尺寸均勻、能滿足量子尺寸效應的Ge/Si多層膜自組織Ge量子點，解決了與集成電路工藝技術相兼容的問題，且生產成本低，易于工業化規模生產。 來源：馬 克 團 隊 【專利類型】發明申請 【申請人】云南大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】650091云南省昆明市五華區翠湖北路2號 【申請人地區】中國 【申請人城市】昆明市 【申請人區縣】五華區 【申請號】CN200610048899.X 【申請日】2006-12-11 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1974837A 【公開公告日】2007-06-06 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100537831C 【授權公告日】2009-09-09 【授權公告年份】2009.0 【發明人】楊宇; 孔令德; 宋超; 張曙 【主權項內容】1、一種低溫雙離子束濺射Ge/Si多層膜自組織Ge量子點的制備方法， 包括離子束真空濺射，并使用氬(Ar)氣作為工作氣體，其特征在于在生 長室本底壓強小于3.0×10-4Pa，基片溫度為200℃～400℃，工作氣體(Ar) 壓強為1.0×10-2Pa～4.0×10-2Pa的條件下，用雙離子束在硅(Si)基片上 交替濺射沉積Si空間層和Ge量子點層。 【當前權利人】云南大學 【當前專利權人地址】云南省昆明市呈貢區大學城東外環南路 【專利權人類型】公立 【統一社會信用代碼】125300004312032649 【被引證次數】TRUE 【家族被引證次數】TRUE
未經允許不得轉載：http://www.mhvdw.cn/1775745482.html
喜歡就贊一下
