【摘要】本發明公開了一種核磁共振巖心快速分析方法,包括:步驟一,從自旋回波法所采集的數據中選擇脈沖序列以及確定馳豫時間分布,分別滿足:脈沖序列的信號幅度為1~2n之間,點數為2m,馳豫時間的范圍在102~107之間,點數為2p,其中參數m、
【摘要】 一種半導體光電探測技術領域的半導體無像元 遠紅外上轉換成像裝置制造方法。步驟如下:(1)確定探測器類 型為探測中心波長在60微米的同質結內光發射遠紅外探測器, 發光二極管類型為發射光波長在硅電荷耦合器件響應波長范 圍內的近紅外發光二極管;(2)利用頻譜分析方法分別對探測器 及發光二極管列出連續性方程,通過求解連續性方程得到上轉 換成像效率及調制傳遞函數,通過考察上轉換成像效率及成像 性能,得到優化的器件結構;(3)用分子束外延裝置先生長遠紅 外探測器結構,接著在探測器上生長近紅外發光二極管結構, 得到半導體遠紅外無像元上轉換成像裝置。本發明大大降低了 探測成像的成本,可實現更長波長光的上轉換成像。 【專利類型】發明申請 【申請人】上海交通大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】200240上海市閔行區東川路800號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】閔行區 【申請號】CN200610117889.7 【申請日】2006-11-02 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1945859A 【公開公告日】2007-04-11 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100456503C 【授權公告日】2009-01-28 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L31/18 【發明人】沈文忠; 武樂可 【主權項內容】1、一種半導體無像元遠紅外上轉換成像裝置制造方法,其特征在于步驟如 下: (1)確定需要生長的探測器和發光二極管的類型:探測器類型為探測中心 波長在60微米的同質結內光發射遠紅外探測器,發光二極管類型為發射光波長 在硅電荷耦合器件響應波長范圍內的近紅外發光二極管; (2)利用頻譜分析方法分別對探測器及發光二極管列出連續性方程,通過求 解連續性方程得到上轉換成像效率及調制傳遞函數,通過考察上轉換成像效率 及成像性能,得到優化的器件結構; (3)用分子束外延裝置先生長遠紅外探測器結構,接著在探測器上生長近紅 外發光二極管結構,得到集成的半導體遠紅外無像元上轉換成像裝置。 【當前權利人】上海交通大學 【當前專利權人地址】上海市閔行區東川路800號 【統一社會信用代碼】1210000042500615X0 【被引證次數】2 【被自引次數】1.0 【被他引次數】1.0 【家族引證次數】2.0 【家族被引證次數】2
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